半导体薄膜技术与物理第六章题稿.pptVIP

IC制造中关键工艺： 材料生长：涉及导体/绝缘体/半导体 常用方法：热氧化/CVD/PVD/旋涂/电镀… 表面改性：化学性能、电学性能、PN结 图像转移：光刻(lithograph) 材料清除：湿法刻蚀(wet etch) 干法刻蚀 (RIE, Reactive Ion Etch) 化学机械抛光(CMP, Chemical Mechanical Polish) * * 第六章 半导体器件集成工艺 晶圆 电路设计 掩模 IC 生产厂房 测试 封裝 最后测试 热氧化 图形曝光 刻蚀与光刻胶剥离 离子注入与光刻胶剥离 金属化 化学机械抛光 介质薄膜沉积 晶圆制造流程图 薄膜技术 分立器件： 主要应用在微波，光电和功率器件方面。如碰撞电离雪崩渡越时间二极管（IMPATT）用作微波 产生器，半导体激光器和发光二极管作为光源，可控硅器件作为高功率的开关。 集成器件： 大部分的电子系统是将有源器件（如晶体管）和无源器件（如电阻，电容和电感）一起构建在单晶半导体上，通过金属化的形式互连而构成集成电路。 半导体器件按照结构可以分为： 1.降低互联的寄生效应，因为具有多层金属连线的集成电路，可大幅度降低全部的连线长度。 2.可以充分利用半导体晶片的空间和面积，因为器件可以紧密布局在IC芯片内。 3.大幅度降低制造成本，因为打线连接是项既耗时又容易出错的工作。 相对于通过打线连接的分立器件，集成器件具有如下优点： 分立器件典型：pn结的简化制备工艺 8.Al薄膜沉积 n-type 1.N型Si 衬底 2.氧化 SiO2 3.涂敷光刻层 光刻胶 UV Light 4.光刻 n n n 5. 显影 6.刻蚀 p n n n p p n p 7.离子注入 p n p 9.pn结形成 Al接触 分立器件典型：LED结构 Active Layer 5-period In0.3Ga0.7N/GaN SLs (2.5nm/4.0nm) Transparent electrode P electrode N electrode Blue InGaN/GaN multi-quantum well LED structure N-type GaN: Si 3-4μm Substrate Sapphire or Si P-type Al0.1Ga0.9N:Mg 100nm P-type GaN:Mg 0.5μm GaN buffer layer: 30nm 2.5nm InGaN 4.0nm GaN Ec1 Ec2 Ev1 Ev2 △Ec △Ev 量子阱LED能带结构图 1150oC 550oC 1050oC 760oC 1130oC 1050oC Temp. NH3 TEGa TMAl TMIn Buffer N-type GaN InGaN/GaN Quantum well P-AlGaN P-GaN 生长过程示意图 比较而言，集成器件的工艺更加复杂。 集成工艺根据所制备部分的功能不同可分为如下三个部分： 1.器件制作：有源器件，无源器件 2.器件隔离：p-n结隔离，介质隔离 3.器件互连：接触，互连金属，互连介质 p+Si衬底 外延p-Si n+ n+ 漏极 源极 SiO2 多晶硅 SiO2 Al 多晶硅栅极 Al 介质SiN SiN SiO2 SiO2 介质SiO2 栅氧化层 场氧化 集成器件典型：CMOS结构 N沟道增强型MOSFET剖面图