1第一章半导体器件.ppt

1.2.3 ＰＮ结的击穿 ＰＮ结的击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿。 当反向电压足够高时, 阻挡层内电场很强, 少数载流子在结区内受强烈电场的加速作用, 获得很大的能量, 在运动中与其它原子发生碰撞时, 有可能将价电子“打”出共价键, 形成新的电子、 空穴对。这些新的载流子与原先的载流子一道, 在强电场作用下碰撞其它原子打出更多的电子、空穴对, 如此链锁反应, 使反向电流迅速增大。这种击穿称为雪崩击穿。  所谓“齐纳”击穿, 是指当ＰＮ结两边掺入高浓度的杂质时, 其阻挡层宽度很小, 即使外加反向电压不太高(一般为几伏), 在ＰＮ结内就可形成很强的电场(可达2×106 V/cm), 将共价键的价电子直接拉出来, 产生电子-空穴对, 使反向电流急剧增加, 出现击穿现象。  对硅材料的ＰＮ结, 击穿电压ＵＢ大于７V时通常是雪崩击穿, 小于４V时通常是齐纳击穿；ＵＢ在４V和７V之间时两种击穿均有。由于击穿破坏了ＰＮ结的单向导电特性, 因而一般使用时应避免出现击穿现象。  发生击穿并不一定意味着ＰＮ结被损坏。 1.2.5 半导体二极管 ★二极管的简易测试 将万用表置于R×100或R×1k(Ω)挡（R×1挡电流太大,用R×10k(Ω)挡电压太高,都易损坏管子）。 3.光电耦合器件 4. 变容二极管 §1.3 半导体三极管 三极管的分类 三极管的种类很多, 有下列5种分类形式： (1) 按其结构类型分为NPN管和PNP管;  (2) 按其制作材料分为硅管和锗管;  (3) 按工作频率分为高频管和低频管;  ★判别三极管的管型和管脚  ①基极的判别。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 1.3.5、三极管的主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 二、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 三、主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.最大反向工作电压ＵR 这是二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时, 二极管可能被击穿。为了留有余地, 通常取击穿电压的一半作为ＵＲ。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4 .最高工作频率ｆM fM的值主要取