半导体器件物理与工艺.docVIP

平时成绩30% + 考试成绩70% 名词解释（2x5=10）+ 简答与画图（8x10=80）+ 计算（1x10=10） 名词解释 p型和n型半导体 漂移和扩散 简并半导体 异质结 量子隧穿 耗尽区 阈值电压 CMOS 欧姆接触 肖特基势垒接触 简答与画图 从能带的角度分析金属、半导体和绝缘体之间的区别。 分析pn结电流及耗尽区宽度与偏压的关系。 什么是pn结的整流（单向导电）特性？画出理想pn结电流-电压曲线示意图。 BJT各区的结构有何特点？为什么？ BJT有哪几种工作模式，各模式的偏置情况怎样？ 画出p-n-p BJT工作在放大模式下的空穴电流分布。 MOS二极管的金属偏压对半导体的影响有哪些？ MOSFET中的沟道是多子积累、弱反型还是强反型？强反型的判据是什么？ 当VG大于VT且保持不变时，画出MOSFET的I-V曲线，并画出在线性区、非线性区和饱和区时的沟道形状。 MOSFET的阈值电压与哪些因素有关？ 半导体存储器的详细分类是怎样的？日常使用的U盘属于哪种类型的存储器，画出其基本单元的结构示意图，并简要说明其工作原理。 画出不同偏压下，金属与n型半导体接触的能带图。 金属与半导体可以形成哪两种类型的接触？MESFET中的三个金属-半导体接触分别是哪种类型？ 对于一耗尽型MESFET，画出VG=0, -0.5, -1V（均大于阈值电压）时的I-V曲线示