13 电子能谱分析方法_培训课件.pptVIP

第十三章 电子能谱分析方法 6.化学位移 由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。 化合物结构的变化和元素氧化状态的变化可引起谱峰有规律的化学位移。 内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其XPS峰将向结合能增加的方向位移。 分子M中某原子A的内层电子结合能位移量同与它相结合的原子电负性之和有一定的线性关系。 化学位移的分析和测定，是XPS分析中的一项主要内容，是判定原子化合态的重要依据。 XPS定性分析依据 XPS产生的光电子的结合能仅与元素种类以及所激发的原子轨道有关。特定元素的特定轨道产生的光电子能量是固定的，依据其结合能就可以标定元素；相近原子序数的元素激发出的光电子的结合能有较大的差异，因此相邻元素间的干扰作用很小。 从理论上，可以分析除H，He以外的所有元素，并且是一次全分析，范围非常广。 精确测定元素内层电子结合能是鉴定元素化学组成与化学状态的主要方法，但是在实际样品分析时，有时会遇到含量少的某种元素的主峰与含量多的另一元素的较强峰位置接近或相同，至