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第2章 三极管及放大电路 内容提要 本章首先介绍半导体三极管的结构、特性及主要参数，然后介绍各种放大电路。重点讨论三极管共射放大电路的静态和动态分析，然后讨论三极管共集和共基放大电路、MOS场效应管放大电路、多级放大电路、差动放大电路和功率放大电路。 2.1 三极管 2.2 共射放大电路 2.3 放大电路的图解分析法 2.4 放大电路的微变等效电路分析法 2.5 静态工作点稳定电路 2.6 共集放大电路和共基放大电路 2.7 MOS场效应管及放大电路 2.8 多级放大电路 2.9 差动放大电路 2.10 功率放大电路 2.1 三极管 2.1.1 三极管的结构 半导体三极管的种类很多，根据制作的基片材料分为硅管和锗管，硅管性能优于锗管，故当前生产和使用的三极管以硅管为多；按频率分为高频管、低频管；按功率分为小、中、大功率管；按结构分为NPN和PNP两种类型。 三极管是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。图2.1所示为三极管的外形、内部结构示意图及符号（用VT表示）。 图2.1 三极管的外形、内部结构示意图及符号 三极管是由三层半导体制成的两个PN结（发射结和集电结），其特点是中间一层P（或N）型半导体特别薄，两边各为一层N（或P）型半导体。从三层半导体上分别引出3个电极，称为集电极C、基极B和发射极E，对应的每块半导体称为集电区、基区和发射区。虽然发射区和集电区都是N（或P）型半导体，但是发射区比集电区掺的杂质重，因此它们并不对称，使用时这两个极不能混淆。 三极管接在电路中要有输入端和输出端，而其只有三个电极，因此必然有一个电极作为输入回路和输出回路的公共端，如图2.2所示，晶体管有三种基本组态。 1. 共射接法 以基极为输入端，集电极为输出端，发射极为输入、输出两回路的公共端，如图2.2（a）所示。 2. 共集接法 以基极为输入端，发射极为输出端，集电极为输入、输出两回路的公共端，如图2.2（b）所示。 3. 共基接法 以发射极为输入端，集电极为输出端，基极为输入、输出两回路的公共端，如图2.2（c）所示。 以NPN型三极管为例，通过实验来了解半导体三极管的放大原理和其中的电流分配情况，实验电路如图2.3所示。 将三极管接成两条电路，一条是由电源电压UCC的正极经过电阻RB（通常为几百千欧的可调电阻）、基极、发射极到电源电压UCC的负极，称为基极回路。另一条是由电源电压UCC的正极经过电阻RC、集电极、发射极再回到电源电压UCC的负极，称为集电极回路。可见，发射极是两个回路所共用的，所以这种接法称为共发射极电路。 改变可变电阻RB，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，电流方向如图1.18所示，测试结果列于表2.1中。 表2.1 实验测试数据 由实验及测试结果可得出如下结论。 （1）三个电流符合基尔霍夫定律，即 IE = IB + IC （2-1） 且基极电流IB很小，忽略IB不计，则有IE≈IC （2）三极管有电流放大作用，从实验数据可以看出，IC与IB的的比值近似为一个常数，即 （2-2） 基极电流IB的微小变化能引起集电极电流IC较大的变化，即 （2-3） 以上两式中的 和 分别称为晶体管的直流和交流电流放大 系数。从表1.1中可以看出， ，且在一定范围内几乎不 变，故工程上不必严格区分，估算时可以通用。 2.1.3 三极管的特性曲线及工作