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模拟电子技术基础中的常用公式 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： 式中，iD为流过二极管的电流，uD。为加在二极管两端的电压，VT称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为VT = kT/q其中T为热力学温度，单位是K；q是电子的电荷量，q=1.602×10-19C；k为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J／K。室温下，可求得VT = 26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻RD 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比，即 RD的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。 GS0103 交流等效电阻rd rd亦随工作点而变化，是非线性电阻。通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧姆之间。 需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。 GS0104 IZmin＜Iz＜IZmax 其中稳定电流IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。IZ 通常在最小稳定电流IZmin与最大稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；IZmax是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生永久性击穿。故一般要求IZmin＜Iz＜IZmax 。 GS0105 IC = INC + ICBO ≈ INC GS0106 IB = IPB + IPE - ICBO ≈IPB - ICBO GS0107 IE＝INE＋IPE ≈INE GS0108 INE ＝ INC ＋IPB GS0109 IE ＝IC ＋ IB GS0110 GS0111 GS0112 GS0113 GS0114 GS0115 GS0116 GS017 GS0118 GS0119 GS0120 (C表示常数) GS0121 (C表示常数) GS0122 GS0123 GS0124 GS0125 GS0126 PCM ＝ICUCE GS0127 ，IDSS是UGS＝0时的漏极饱和电流，VP称为夹断电压。 7.2 基本放大电路 GS0201 GS0202 GS0203 基本放大电路(固定偏置电路)静态工作点求解公式。 GS0204 GS0205 GS0206 GS0207 GS0208 GS0209 GS0210 GS0211 GS0214 () GS0218 为了避免瞬时工作点进入截止区而引起截止失真，则应使： GS0219 为了避免瞬时工作点进入饱和区而引起饱和失真，则应使： GS0220 式中 表示晶体管基区的体电阻，对于一般的小功率管约为300Ω左右(计算时，若未给出，可取为300Ω)，IE为通过管于发射极的静态电