9-23(三极管)1.ppt

* 2016-9-23 * 2016-9-23 1、三极管的不同封装形式 金属封装 塑料封装 大功率管 中功率管 5.1.1 BJT的结构简介 2、半导体三极管的结构的两种类型:NPN型和PNP型。 5.1.1 BJT的结构简介 ⑴ NPN型 正偏时电流流向 结构截面图 结构示意图 符号 ⑵PNP型 5.1.1 BJT的结构简介 结构示意图 符号 5.1.1 BJT的结构简介 BJT结构上的特点是：发射区高掺杂；基区极薄，且掺杂浓度很低；集电区的面积比发射区面积大 掺杂的浓度高 集电区的面积大 基区很薄，掺杂浓度最低 3、半导体三极管结构上的特点 正常放大时外加偏置电压的要求 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 发射结应加正向电压（正向偏置） 集电结应加反向电压（反向偏置） 以 NPN型管为例 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 集电极电流 基极电流 1、BJT内部载流子的传输过程（以NPN管为例） 发射极电流 把三极管整体看成一个“连接点”，电流关系是否符合KCL定律 （即： ）？ 思考？ 符合KCL定律 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 2、BJT的电流分配关系 即： 所以： ⑴共基极电流放大系数 为共基极电流放大系数 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 ⑵共发射极电流放大系数 共射极电流放大系数 共射极放大系数 的物理含义： 2、BJT的电流分配关系 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 ⑶共发射极连接时的穿透电流 称为穿透电流 2、BJT的电流分配关系 ③穿透电流受温度影响很大 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 ①什么是穿透电流 ④穿透电流器件手册上可查，或者用专用仪器测量。 讨论： ②穿透电流的构成 A、集电极PN结的反偏电流 ICBO 基极B开路时， 集电极C发射极E之间的漏电流 B、ICBO被BTT放大后的电流 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 共射 共基 共集 电流关系 类别 电路简图 合理近似 BJT的三种组态简图和电流关系比较 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 ②实现受控传输过程的两个条件是： A、内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄，集电极面积大，易于收集电子。 B、外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 ①三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流通过基区，并受控传输，然后到达集电极而实现的。 总结： V1=3.5V， V2=2.8V， V3=12V。 1、 测得工作在放大电路中某个晶体管三个极1、2、3电位值为V1、V2、V3，判断管子的材料（硅管或锗管）、类型（NPN或PNP）、及1、2、3对应的三个极（发射极、集电极或基极）。 + b c e RL VBB VCC IB IE IC 2、晶体管三个极1、2、3依次为基极、发射极和集电极 1、硅管 NPN型 3.5V 2.8V 12V 自我检验题 解： 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 5.1.3 BJT的V-I特性曲线 ?A V mA V 5.1.3 BJT的V-I特性曲线 1.共射极连接的输入特性曲线 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 5.1.3 BJT的V-I特性曲线 2. 共射极连接的输出特性曲线 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当IB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，集电结反偏。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 输出特性比较平坦的部分随着vCE的增加略向上倾斜。——基区宽度调制效应 饱和区 截止区 5.1.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const (1)共发射极直流电流放大系数 5.1.4 BJT的主要参数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 当ICEO很小时， 可以不加区分 1