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* 第三章 基本电力电子器件及其驱动 §3-1 功率二极管（Power Diode) 1 静态特性 ★ 电导调制效应： 电流↑—注入载流子数↑ 电阻率↓—多子↑ 保持 电中性 2 动态特性 开通过程： 势垒电容 体电感 正向恢复时间 2 动态特性 关断过程： 由UR、线路电感、体电感决定 反向充电建立势垒 ★ 因正向电导调制效应且电流大：tFR tRR (普通100μs) ★ 普通PD 100us PD等效模型： 2 动态特性 3 PD的分类 ★ 快恢复二极管 （Fast Recovery Diode 0.2us) ★ 软恢复二极管 （Soft Recovery Diode 0.5～1us) ★ 势垒（肖特基）二极管 （Schottky Barrier Diode 50ns) §3-2 功率晶体管 1 结构 ★ 三重扩散台面型结构： GTR- Giant Transistor BJT - Bipolar Junction Transistor 台面结构面积大→I 大； 轻掺杂→ρ大→V梯度↑ →V大；但β小。 2 类型 单管：β=10 ~ 15，驱动电流大 复合（达林顿）管： ★ T2的C结未正偏，Uces大； ★ T1→T2 顺序动作，速度慢。 GTR（达林顿）模块：多级复合、单桥臂、桥… ★ R1、R2提供Icb的通 路提高热稳定性； R2分流T1穿透电流， 保证关断可靠。 ★ D1抽取T2发射结电 荷，加速T2与T1同 步关断。 静态特性： 3 GTR的特性 准饱和区 深饱和区 截止区 二次击穿区 二次击穿临界曲线 放大区 ★ 一次击穿与二次击穿 ★ 安全工作区SOA SOA—Safe Operation Area 动态特性： 3 GTR的特性 t1—延迟时间 t2—上升时间 t3—存储时间 t4—下降时间 ts—开通时间 （ n s 级） tc—关断时间 （μs 级） 准饱和 加速电容 基本要求： 4 驱动电路（Drive Circuit） Ic 较大时，增 IB 可降 Uces； 深度饱和与快速关断相矛盾。 3—过驱动系数 增 IBP- 可加速关断，但电流变化率增大。一般取： 基本驱动电路 ☆ D1：UBE+UD2+UD3 = UD1+UCES 贝克钳位电路 UCES = UBE+UD2+UD3 — UD1 = UBE + UD2 （一般取0.7~3V) 使GTR集电结反偏或零偏—准饱和 ☆ D1应为快恢复管，D2、D3为普通管 集成驱动电路 ★ EXB356：150A/600V；IBP=+3A/-3.4A、 IIN= 3~9mA EXB356 (富士 · 日) UAA4002 (汤姆逊 · 法) M57950 (三菱 · 日) §3-3 功率场效应晶体管 1 小功率MOSFET的分类与结构特点 ★ 因工艺和结构差异名称不同。如： Motorola TMOS NEC VDMOS Siemens SiPMOS Power MOSFET 结 型 绝缘栅型 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 Power MOSFET 1 小功率MOSFET的分类与结构特点 ★ 电压控制，输入阻抗高。 ★ 单极型，温—流负反馈， 温度稳定性高，无二次击穿。 ☆ 横向导电，电流小，耐压低。 适合于MOS IC。 2 功率MOSFET的结构特点 ★ 胞元并联结RDS小， 可达mΩ。 ★ 垂直导电VD，面积 大，电流大； ☆ 无电导调制效应，UDSS 较GTR大。 ★ 轻掺杂，电阻率大， 耐压高； ★ 沟道短D-S间U、R、 C均小； 静态特性： 3 PMOSFET的特性 饱和区 调阻区 雪崩击穿区 ★ 安全工作区SOA 跨导 开启电压 ★ 转移特性 ★ 输出特性 SOA—Safe Operation Area 动态特性： 3 PMOSFET的特性 ？密勒效应、位移电流 t1—开通延时 t2—上升时间 t3—关断延时 t4—下降时间 ts—开通时间 （ n s 级） tc—关断时间 （n s 级） Rs、Cin决定 开关速度 4 ZVS Buck变换器(谐振开关) ★ S并联C如何开通？ ZVS 开通/关断 有