嵌入式系统与SOC设计第9讲CH5存储器.ppt.pptVIP

　　 本章内容 存储器分类 按照写入能力和存储永久性进行区分 嵌入式系统存储器类型 常用存储器类型 高级RAM类型 嵌入式系统存储器组合 存储器的层次与Cache 概述 嵌入式系统的功能涵盖 处理功能 利用处理器实现 通信 处理器和存储器之间的数据传递 用总线来实现 称为接口技术 存储功能 用Memory实现 什么是存储器 存储大量的位（bit） m x n: m个字，每个字n 位 k = Log2(m) 地址输入信号 或者 m = 2^k 个字 e.g., 4,096 x 8 存储器: 32,768 bits 12 地址输入信号 8 输入输出数据信号 存储器访问 r/w: 选择是读出还是写入 enable: 只有当确认后才能进行读写操作 multiport: 同时对多个位置进行访问 处理器的寄存器文件结构 本章内容 存储器分类 按照写入能力和存储永久性进行区分 嵌入式系统存储器类型 常用存储器类型 高级RAM类型 嵌入式系统存储器组合 存储器的层次与Cache 写入能力和存储永久性 传统ROM/RAM区分方式 ROM 只读，断电时数据仍然保存 RAM 读写,断电时数据丢失 传统划分的缺陷 高级 ROMs也能写入 e.g., EEPROM 高级 RAMs也能断电保存 e.g., NVRAM 写入能力 存储器写入数据的方式和速度 存储永久性 数据写入后存储器保存数据的能力 写入能力和存储永久性 本章内容 存储器分类 按照写入能力和存储永久性进行区分 嵌入式系统存储器类型 常用存储器类型 高级RAM类型 嵌入式系统存储器组合 存储器的层次与Cache ROM: “Read-Only” Memory 需要在放入嵌入式系统之前进行“编程” 使用 保存GPP的软件 程序指令可以是一个或多个ROM字 保存系统需要的常量数据 组合电路实现 OTP ROM: 一次可编程ROM 由用户进行可编程连接 很低的写入能力 需要编程器，并且只能写入一次 非常高的存储永久性 采用熔丝技术 一般应用在最终产品中 便宜,难以修改 EPROM: 可擦除的可编程 ROM 可编程部件是一个MOS晶体管 晶体管具有浮动栅 (a) 负电荷形成一个源和漏的沟道保存逻辑1 (b) 栅极大的正电压引起负电荷移出沟道，得到浮动栅中的一个陷阱来保存逻辑0 (c) (擦除) 紫外线照射浮栅引起负电荷从浮栅返回沟道保存逻辑1 更好的写入能力 能够擦除和重编程上千次 存储永久性降低 程序能够保存10年以上 在设计开发阶段使用 EEPROM: 电可擦除可编程 ROM 电可编程和擦除 要使用比工作电压高的电压进行编程 可编程或擦除独立的字 更好的写能力 能够进行系统内编程 由于擦除和编程，写入时速度较慢 可以擦除上万次 存储永久性与EPROM 相同(大约 10 years) 使用更方便，但是成本更贵 应用于电话机，身份证等 Flash 存储器 EEPROM的扩展 相同的浮栅原理 相同的写入能力和存储持久性 快速擦除 可一次擦除一个块数据，而不是一次一个字。 块容量典型为数千个字节 写单字时可能更慢 必须读一个数据块，然后更新字，再将整个块回写。 嵌入式系统中用非易失存储器存储大数据 e.g., digital cameras, TV set-top boxes, cell phones RAM: “随机访问” 存储器 典型的易失性存储器 断电后比特不被保存 内部结构比ROM更复杂 一个字由几个存储器单元组成，每个保存1位。 每个输入输出数据线连接到这一列的每个单元上 rd/wr线连接到每个单元（cell） 来自解码器的字使能线连接到所在行的每个单元； 存储单元必须具有必要的逻辑，使r/w指示写入且该行使能时能存储输入数据位，在r/w指示读取且该行使能时能输出该单元保存的数据位 基本RAM类型 SRAM:静态（Static） RAM 存储器单元使用 flip-flop 来保存位数据 需要6个晶体管 只要有电就保持数据 DRAM: 动态 Dynamic RAM 存储器单元使用MOS晶体管和电容来保持数据位 比SRAM更复杂； 由于电容泄漏，需要“刷新” 当读取时，字单元要被刷新 典型刷新率为15.625 ms. 访问速度慢于SRAM Ram的变型 PSRAM: 伪静态Pseudo-static RAM 带有内建存储器刷新控制器的DRAM 比较流行的低成本高密度的替代SRAM的一种存储器 NVRAM: 非易失Nonvolatile RAM 外部电源移除时仍然保持数据 电池后备 Battery-backed RAM SRAM具有永久连接的电池 写入和读取一样快 举例: HM6264 27C256 RAM/ROM devices 低成本的容量存储器 一般在8-bit MCU中应用