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集成电路设计基础 王志功 东南大学 无线电系 2004年 第六章 MOS 场效应管的特性 6.1 MOS场效应管 6.2 MOS管的阈值电压 6.3 影响VT值的四大因素 6.4 体效应 6.5 MOSFET的温度特性 6.6 MOSFET的噪声 6.7 MOSFET尺寸按比例缩小 6.8 MOS器件的二阶效应 6.1 MOS场效应管6.1.1 MOS的基本结构 两个PN结： 1）N型漏极与P型衬底； 2）N型源极与P型衬底。 同双极型晶体管中的PN 结 一样， 在结周围由于载流 子的扩散、漂移达到动态平 衡，而产生了耗尽层。 一个电容器结构： 栅极与栅极下面的区域形成一个电容器，是MOS管的核心。 MOSFET的三个基本几何参数 栅长: L 栅宽: W 氧化层厚度: tox MOSFET的三个基本几何参数 Lmin、 Wmin和 tox 由工艺确定 Lmin： MOS工艺的特征尺寸(feature size) 决定MOSFET的速度和功耗等众多特性 L和W由设计者选定 通常选取L= Lmin，由此，设计者只需选取W W影响MOSFET的速度，决定电路驱动能力和功耗 MOSFET的伏安特性:电容结构 当栅极不加电压或加负电压时，栅极下面的区域保持P型导电类型，漏和源之间等效于一对背靠背的二极管，当漏源电极之间加上电压时，除了PN结的漏电流之外，不会有更多电流形成。 当栅极上的正电压不断升高时，P型区内的空穴被不断地排斥到衬底方向。当栅极上的电压超过阈值电压VT，在栅极下的P型区域内就形成电子分布，建立起反型层，即N型层，把同为N型的源、漏扩散区连成一体，形成从漏极到源极的导电沟道。这时，栅极电压所感应的电荷Q为， Q=CVge 式中Vge是栅极有效控制电压。 非饱和时，在漏源电压Vds作用下，这些电荷Q将在?时间内通过沟道，因此有 MOSFET的伏安特性—方程推导 非饱和情况下，通过MOS管漏源间的电流Ids为： MOS的伏安特性—方程分析 非饱和情况下，Vds固定时， Ids是Vgs的线性函数： MOSFET特性曲线 在非饱和区 ? 线性工作区 在饱和区 (Ids 与 Vds无关) . MOSFET是平方律器件! 6.1.2 MOSFET电容的组成 MOS电容是一个相当复杂的电容，有多层介质： 首先，在栅极电极下面有一层SiO2介质。SiO2下面是P型衬底，衬底是比较厚的。最后，是一个衬底电极，它同衬底之间必须是欧姆接触。 MOS电容还与外加电压有关。 1）当Vgs0时，栅极上的负电荷吸引了P型衬底中的多数载流子—空穴，使它们聚集在Si表面上。这些正电荷在数量上与栅极上的负电荷相等，于是在Si表面和栅极之间，形成了平板电容器，其容量为， 通常，?ox=3.9?8.854?10-4 F/cm2；A是面积，单位是cm2； tox是厚度，单位是cm。 MOS电容—SiO2和耗尽层介质电容 2）当Vgs0时，栅极上的正电荷排斥了Si中的空穴，在栅极下面的Si表面上，形成了一个耗尽区。 耗尽区中没有可以自由活动的载流子，只有空穴被赶走后剩下的固定的负电荷。这些束缚电荷是分布在厚度为Xp的整个耗尽区内，而栅极上的正电荷则集中在栅极表面。这说明了MOS电容器可以看成两个电容器的串联。 以SiO2为介质的电容器——Cox 以耗尽层为介质的电容器——CSi 总电容C为: 比原来的Cox要小些。 MOS电容—束缚电荷层厚度 耗尽层电容的计算方法同PN结的耗尽层电容的计算方法相同: 利用泊松公式 式中NA是P型衬底中的 掺杂浓度，将上式积分 得耗尽区上的电位差? ： 从而得出束缚电荷层厚度 MOS电容 —耗尽层电容 这时，在耗尽层中束缚电荷的总量为， 它是耗尽层两侧电位差?的函数，因此，耗尽层电容为， 是一个非线性电容，随电位差的增大而减小。 MOS电容—耗尽层电容特性 随着Vgs的增大，排斥掉更多的空穴，耗尽层厚度Xp增大，耗尽层上的电压降?就增大，因而耗尽层电容CSi就减小。耗尽层上的电压降的增大，实际上就意味着Si表面电位势垒的下降，意味着Si表面能级的下降。 一旦Si表面能级下降到P型衬底的费米能级，Si表面的半导体呈中性。这时，在Si表面，电子浓度与空穴浓度相等，成为本征半导体。 MOS电容—耗尽层电容特性(续) 3）若Vgs再增大，