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2016.01.29 PAN IGBT分类/选择 IGBT 裸片： IGBT分立元件 IGBT模块 智能模块 IPM 半导体制造从一个极薄的半导体材料圆盘开始，这个圆盘称作“晶圆”。处理工艺定义为晶体管及其它架构，通过导线相互连接构成所要求的电路。 随后，晶圆被制成“裸片”，裸片经过封装后制成ic。 裸片即是晶圆经过切割测试后没有经过封装的芯片。 1.不带反向并联二极管 2 带反向并联二极管 带反向并联二极管：逆导型IGBT reverse conduction IGBT 逆导型IGBT等效于一个IGBT与一个PIN二极管反并联，只不过在同一芯片上实现了。 当IGBT在承受反压时，这个PIN二极管导通，称其为逆导型IGBT。在关断期间，逆导型IGBT为漂移区过剩载流子提供了一条有效的抽走通道，大大缩短了逆导型IGBT的关断时间。 1、用在逆变回路中主要用于续流，同时由于负载存在感性，IGBT关断瞬间会在IGBT两端产生极高的自感反相电压，此电压可能击穿IGBT。并联的二极管将这个“自感反相电压”短路掉了，起到保护IGBT的作用。 2、用在整流回路中（例如西门子的SLM模块），二极管主要用于整流，将交流电整流为直流电（进线电压的1.35倍）。而此回路中的IGBT主要用于回馈。 逆阻型IGBT 逆阻型IGBT ：Reverse blocking IGBT (RB-IGBT) ,具有反向耐压能力。 内部结构经过改进，可使IGBT承受相同水平的正向和反向阻断电压；相比之下，标准的IGBT能承受的反向阻断电压仅为正向阻断电压的几分之一。 逆阻型的作用可以等同于一个串联一个二极管, 优点是可以替代普通和二极管串联作为单向开关,并且器件导通压降较小从而可以减小导通损耗。 RB-IGBT 普通IGBT+二极管 IGBT Selection Guide IGBT Selection Tree Common IGBT Applications and Topologies IGBT模块 赛米控 连接触点技术 应用 非常广泛，如开关，AC逆变驱动，DC伺服驱动以及机器人驱动，UPS，电焊机，开关磁阻电机，DC/DC ,DC斩波，刹车斩波 “模块电流范围是35-900A，电压等级有600V/1200V/1700V。” 优势：低电感封装设计，高绝缘耐压值以及广泛的客户订制化的解决方案和封装类型。 优点：在热设计方面要求高，可靠性高，集成度高，费用低。 在SEMITOP和PCB的连接方面，它有一些固定的引脚可以焊接在PCB上。 SEMITOP的压接技术和单螺丝固定方式保证了器件有更低的热阻Rth(j-s) ，并且它良好的机械压接保证了SEMITOP有更好的功率循环能力和更高的可靠性。 IGBT模块可用于变频器，开关，开关电源，UPS，双PFC和DC伺服驱动。 所有的逆变单元都是紧凑的扁平化设计，且高度都统一为17mm，它采用了弹簧技术，控制单元全是无焊接接触，且每一基本单元都类似，可快速生产。 IGBT模块可以用在AC/DC电机控制的输入整流桥中，且适用于开关电源，电流变频，UPS，电焊机装置中。经过可靠的测试证明有极高的性价比。 运用了弹簧压接技术。压接技术有良好的功率循环能力. Miniskiip系列中集成度很高，包括整流，逆变和刹车结构，这些结构可用于驱动37KW的电机。 MiniSKiiP还包括了三相的逆变结构，这种结构有四种封装结构，其电流范围从8A-200A，其电压等级有600V/1200V. 世界上共有超过1500万MiniSKiiP模块正用在驱动以及变频器中