常用半导体器件(修改2013)讲解.ppt

模拟电子技术 电 话 Q Q ： 389887418 Email ：wanyingjian110@126.com 概 述 1、电子技术 研究电子元、器件及其应用的一门技术基础课程。 2、模拟电子技术与数字电子技术 数字技术正在一步步取代模拟技术 3、模拟电子技术的主要内容： 电子器件基础（二极管、三极管、晶闸管等） 放大电路（基本、差分、多级、反馈、功放等） 集成运算放大电路 放大电路的应用（信号处理） 信号发生电路 电源 4、涉及的电路知识 电路模型：电压源、电流源、RLC、受控源、集成电路、变压器； 直流分析：简单直流电路分析、等效电阻、叠加原理，戴维南定理等； 交流分析：正弦波三要素、阻抗的概念、简单交流电路分析、频率响应等； 暂态响应：一阶电路的过渡过程，三要素； 双端口网络：电路参数（H参数）等 5、学习方法： 特点：与理论性比较实践性更重要。定性比定量重要，理论计算对实践具有指导意义。 重视基本概念和原理，善动脑 、勤动手、多积累。 * * * 二. BJT电路的分析方法（直流、静态） 模型分析法（近似估算法） VCC VBB Rb Rc 12V 6V 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC +VCC (+12V) +VBB (+6V) Rb Rc 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 例：共射电路如图，已知三极管为硅管，β=40，试求电路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。 放大状态用放大区模型 简化图： 各点标电位 +VCC +VBB Rb Rc (+12V) (+6V) 4KΩ 150KΩ + UBE — + UCE — IB IC 0.7V βIB e c b IC +VCC Rc (+12V) 4KΩ + UBE — IB +VBB Rb (+6V) 150KΩ + UCE — 解：三极管工作在放大状态，用放大模型代替三极管。 UBE=0.7V 半导体三极管的型号 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 1.5 场效应管 BJT是一种电流控制器件(用iB控制 iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构及工作原理 1.5.1 结型场效应管: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S N P 耗尽层 VGG UGS VDD UDS=0 ID=0 + - 耗尽层 N P VGG UGS VDD UDS≠0 ID≠0 + - 工作原理 - + - + 1. 输出特性曲线 二、JFET的特性曲线 图1.4.5 场效应管的输出特性 图1.4.6 场效应管的转移特性曲线 2. 转移特性曲线 低频跨导 IDSS 为 uGS=0时对应的漏极电流 1.4.2 绝缘栅场效应三极管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： P型衬底 高参杂浓度的N型区 耗尽层 二氧化硅 当uGS=0V时，无导电沟道，即使有VDD也没有漏极电流。 当uGS＞0V时(值较小时）→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 即使有VDD也没有漏极电流。 （2）工作原理 进一步增加uGS→纵向电场↑→将P区少子