第七章光刻.ppt

第五章 光刻 Photolithography 光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺,占据了芯片制造中大约一半的步骤.光刻占所有成本的35% 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。 光刻的要求 对光刻的基本要求： （1）高分辨率 （2）高灵敏度 （3）精密的套刻对准 （4）大尺寸硅片上的加工 （5）低缺陷 1. 高分辨率 分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。 随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。 通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。 2.高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量,要求光刻周期越短越好，这就要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。 4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量 正光刻胶(Positive optical resist) 负光刻胶(Negative optical resist) 正性光刻胶－Positive Optical Resist 正胶的光化学性质是从抗溶解到可溶性。 正胶曝光后显影时感光的胶层溶解了。 现有VLSI工艺都采用正胶 正胶机制 曝光使感光材料(PAC)中分子裂解，被裂解的分子在显影液中很易溶解，从而与未曝光部分形成强烈反差。 负性光刻胶 Negative Optical resist 负胶的光学性能是从可溶解性到不溶解性。 负胶在曝光后发生交链作用形成网络结构，在显影液中很少被溶解，而未被曝光的部分充分溶解。 小结：正性和负性光刻胶 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面 负性光刻胶的未感光部分溶于显影液中，而感光部分显影后仍然留在基片表面。 光刻胶的组成材料 光刻胶由4种成分组成： 树脂（聚合物材料） 感光剂 溶剂 添加剂（备选） 树脂 树脂是一种惰性的聚合物，包括碳、氢、氧的有机高分子。用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂。 对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。 正性胶的基本聚合物是苯酚－甲醛聚合物，也称为苯酚－甲醛树脂。如图所示。 在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应 固体有机材料（胶膜的主体） UV曝光后发生光化学反应，溶解性质发生改变 正胶从不可溶到可溶 负胶从可溶到不可溶 溶剂 光刻胶中容量最大的成分是溶剂。添加溶剂的目的是光刻胶处于液态，以便使光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶园表面。 绝大多数的溶剂在曝光前挥发，对于光刻胶的光化学性质几乎没有影响。 添加剂 光刻胶中的添加剂通常是专有化学品，成份由制造商开发，但是由于竞争原因不对外公布。 主要在光刻胶薄膜中用来改变光刻胶的特定化学性质或光响应特性。如添加染色剂以减少反射。 7.2 光刻工艺 1 气相成底膜处理 为确保光刻胶能和晶园表面很好粘结，必须进行表面处理，包括三个阶段：微粒清除、脱水和涂底胶。 第一步:微粒清除 目的：清除掉晶圆在存储、装载和卸载到片匣过程中吸附到的一些颗粒状污染物。 清除方法： 1）高压氮气吹除 2）化学湿法清洗：酸清洗和烘干。 3）旋转刷刷洗 4）高压水流喷洗 第二步:脱水烘焙 目的：干燥晶圆表面，增加表面粘附性。 经过清洁处理后的晶园表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶园表面的黏附能力。 第三步 晶圆涂底胶 1.增强光刻胶和晶圆的粘附力的方法： A：脱水烘焙 B：涂底胶 2.用hexamethyldisilazane（HMDS）进行成膜处理 (HMDS:六甲基乙硅烷) 3.要求： 在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜 四个步骤 1.分滴：当硅片静止或者旋转的非常慢时，光刻胶被分滴在硅片上 2.旋转铺开：快速加速硅片使光刻胶伸展到整个硅片表面 3.旋转甩掉：甩掉多于