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第三章 双极结型晶体管 发射区杂质缓变分布,类似有 第三章 双极结型晶体管 2) 基区输运系数 基区渡越时间 第三章 双极结型晶体管 基区输运系数 第三章 双极结型晶体管 影响电流放大系数的一些因素 第三章 双极结型晶体管 俄歇复合增强 第三章 双极结型晶体管 3) 表面复合的影响-- 第三章 双极结型晶体管 3.1.5 双极晶体管的直流电流电压方程 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.23 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 3.1.4 缓变基区晶体管的电流放大系数 -- I.晶体管的直流特性 基区杂质近似为指数分布: 杂质浓度为指数分布时：　　内建电场是与x无关的常数 基区内建电场的形成 空穴浓度的不均匀性导致空穴的扩散,产生电场,类似pn结自建电场的形成,平衡时空穴电流密度为零。 Institute of Microelectronics Circuit System --*-- 第三章 双极结型晶体管 2. 基区少子浓度分布 -- I.晶体管的直流特性 少子电流密度 -- I.晶体管的直流特性 平面管集电区杂质均匀分布,有 电流放大系数 1) 发