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第一章 半导体器件 教学内容 §1.1 半导体的特性 §1.2 半导体二极管 §1.3 双极型三极管 §1.4 场效应三极管 教学要求 本章重点是各器件的特性与模型，特别要注意器件模型的适用范围和条件。对于半导体器件，主要着眼于在电路中的使用，关于器件内部的物理过程只要求有一定的了解。 §1.1 半导体的特性 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。电阻率(10-6～10-4 Ω·cm)绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。电阻率(1010Ω·cm以上) 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。电阻率介于 ( 10-3～109 Ω·cm) 半导体的特点 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。 导电能力受杂质影响很大。 导电能力受温度、光照影响显著。 1.1.2 本征半导体 一、本征半导体的结构特点 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规 则排列，形成晶体。 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 二、本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同 时共价键上留下一个空位，称为空穴。 2.本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以 认为空穴是载流子。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 半导体与金属导体导电原理的区别： 导体：载流子－－自由电子 半导体：载流子－－自由电子和空穴 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个 重要的外部因素。 1.1.3 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半 导体的某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体(Negative)：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为 电子型半导体。 P型半导体(Positive)：空穴浓度大大增加的杂质 半导体，也称为空穴型半导体. 一、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 多数载流子（多子）－－自由电子(主要由掺杂形成) 少数载流子（少子）－－空穴 (本征激发形成) 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟）， 晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子 的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成 共价键时，产生一个空穴。 这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为 不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 多数载流子－－空穴 (主要由掺杂形成) 　 少数载流子－－自由电子(本征激发形成) 三、杂质半导体的示意表示法 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度；而少数载流子的浓度主要取决于温度。无论是Ｎ型或Ｐ型半导体，从总体上看，仍然保持着电中性。 本节中的有关概念 ? 本征半导体、杂质半导体 ? 自由电子、空穴 ? N型半导体、P型半导体 ? 多数载流子、少数载流子 ? 施主原子、受主原子 §1.2 半导体二极管 1.2