半导体物理器件 Chapter5.pptVIP

5.1 JFET的基本结构和工作过程 5.1 JFET的基本结构和工作过程 2.工作原理 场效应：半导体的电导率被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应 。 5.1 JFET的基本结构和工作过程 JFET的几个突出的特点: ① JFET的电流传输主要由一种型号的载流子-多数载流子承担，不存在少数载流子的贮存效应，因此有利于达到比较高的截止频率和快的开关速度。 ② JFET是电压控制器件。它的输入电阻要比BJT的高得多，因此其输入端易于与标准的微波系统匹配，在应用电路中易于实现级间直接耦合。 ③ 由于是多子器件，因此抗辐射能力强。 ④ 与BJT及MOS工艺兼容，有利于集成。 5.1 JFET的基本结构和工作过程 教学要求 简述JFET的基本工作原理。 为什么说JFET实际上是一个电压控制的电阻。 熟悉沟道夹断、漏电流饱和、夹断电压等概念。 5.2 理想JFET的I-V特性 1.理想的JFET基本假设及其意义 单边突变结：SCR在轻掺杂一侧 沟道内杂质分布均匀：无内建电场，载流子分布均匀，无扩散运动。 沟道内载流子迁移率为常数； 忽略有源区以外源、漏区以及接触上的电压降，于是沟道长度为L； 缓变沟道近似，即空间电荷区内电场沿y方向，而中性沟道内的电场只有X方向上的分量：二维问题化为一维问题。 长沟道近似：L?2a