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变温霍尔效应 中国科技大学 轩植华 1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应” 。 1985年德国克利青发现量子霍耳效应获得诺贝尔奖。 1998年普林斯顿大学的崔琦、斯坦福大學的Laughlin，哥倫比亞大學的Stormer 因研究量子霍尔液体获得诺贝尔奖。 半导体是指具有中等程度导电性的材料，其电导率一般在 金属是指良导体，电导率的量级 绝缘体是指具有极低电导率的材料 在相同电流强度和磁感应强度的条件下，半导体材料的霍耳效应比金属大多个数量级左右。这是因为半导体的载流子浓度比金属的自由电子浓度要小许多数量级。因此，在半导体和金属中要得到相同电流强度，半导体载流子的速度就要大许多。而速度大，所受的洛伦兹力就大，与之相平衡的静电力就大，所以霍耳效应就大。 半导体的电导率介于导体和绝缘体之间。以室温下的铜和硅为例，后者小13个量级。 且金属电阻随温度增加而增加，半导体则随温度增加减小，即温度越高，导电性越好。 利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机构(本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。 在绝对零度条件下，半导体的电