2.2PN结的形成及特性讲义.ppt

2.2.1 PN结的形成 PN结的形成条件 （2）电形成法 PN结的形成过程 （1）两边的浓度差引起载流子的扩散运动 （2）复合形成内电场：阻挡扩散，促使漂移 （3）扩散和漂移动态平衡：PN结（空间电荷区、耗尽层、势垒区、阻挡层） 击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热 2.2.4 PN结的电容效应 思考与习题 * 2.2.1 PN结的形成－》 2.2.2 PN结的单向导电性－》 2.2.3 PN结的反向击穿－》 2.2.4 PN结的电容效应－》 2.2 PN结的形成及特性 两种导电类型的半导体共居于同一块半导体单晶中，在交界面上形成PN结 工艺简介： （1）合金法 2.2.1 PN结的形成 （3）平面扩散法 2.2.1 PN结的形成 因浓度差? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。平衡 PN 结中扩散电流和漂移电流大小相等而方向相反，所以外观 PN 结中没有电流。 多子的扩散运动 ? 由杂质离子形成空间电荷区 ? 2.2.1 PN结的形成 小