佛大2007年电力电子技术试卷(A卷).doc

命题方式： 单独命题 佛山科学技术学院2007 —2008 学年第 一学期 《电力电子技术》课程期终考试试题（A卷） 专业、班级： 2005级电气与自动化 姓名： 学号： 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总成绩 得 分 单项选择题（每小题1分，共20分） 1．电力电子器件在变流电路中一般工作在什么状态?( ) A．放大状态 B．开关状态 C．饱和导通状态 D．截止状态 2．下列哪种器件属于半控型器件（ ）。 A．IGBT B．GTR C．GTO D．SCR 3．晶闸管器件的额定电压指的是（ ）。 A．正向重复峰值电压UDRM B．反向重复峰值电压URRM C．UDRM 和URRM 中较小的值 D．UDRM 和URRM 中较大的值 4．双向晶闸管有几种触发方式？（ ） A．1种 B．2种 C．3种 D．4种 5．无反向阻断能力的器件是（ ）。 A．SCR B．GTR C．MOSFET D．GTO 6． 具有负电流温度系数（即开通电阻随温度的增加而增大）的器件是（ ）。 A．GTR B．GTO C．IGBT D．MOSFET 7．通态压降低、开关频率高的器件是（ ）。 A．GTO B．GTR C．MOSFET D．IGBT 8．属于电压型驱动的器件是（ ）。 A． GTO B． GTR C．IGBT D．SCR 9．存在体内寄生二极管的器件是（ ）。 A．SCR B．GTR C．MOSFET D．GTO 10．必须施加门极负电流才能关断的器件是（ ）。 A．GTO B．GTR C．MOSFET D．IGBT 11．影响功率场效应管开关速度的主要因素是（ ）。 A．输入电阻 B．漏源间所加电源 C．负载性质 D．极间电容 12．可以使用IGBT的驱动电路直接驱动的器件是（ ）。 A．GTR B．MOSFET C．GTO D．SCR 13．在变流电路中，当电力电子器件关断时，因正向电流的迅速下降而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为（ ）。 A．操作过电压 B．换相过电压 C．关断过电压 D．外因过电压 14．单相全控桥式整流电路输出直流电压的脉动频率为（ ）。 A．50HZ B．100HZ C．150HZ D．300HZ 共 6 页第 1 页 15．在整流变压器铁芯中存在直流磁化现象的可控整流电路是（ ）。 A．单相全波整流 B．单相桥式整流 C．三相半波整流 D．三相桥式整流 16． 在考虑变压器漏感的相控整流电路中，换相重叠角越大，输出电压（ ）。 A．越高 B．越低 C．不变 D．不确定 17．在有滤波电容的整流电路中，电压脉动量随电容的容量增大而（ ）。 A．增大 B．不变 C．减小 D．不确定 18．交流调功电路常用于下列哪种场合？（ ）。 A．风扇调速控制 B．电炉温度控制 C．台灯调光控制 D．三种均可 19．电压型逆变电路采用PWM控制，其输出电压为（ ）。 A．正弦波 B． 方波 C． SPWM波 D．三角波 20．可控整流电路的换流方式属于（ ）。 A．器件换流 B．电网换流 C．负载换流 D．强迫换流 二、简答题（25分） 1、晶闸管为什么称为半控型器件？其关断条件是什么？（6分） 2、画出晶闸管、双向晶闸管、GTO、GTR、MOSFET（N沟道）、IGBT等6种电力电 子器件的电气图形符号。（9分） 3、简述什么是有源逆变？实现有源逆变源逆变的条件是什么？（6分） 4、在无源逆变电路中，采用PWM控制的目的是什么？（4分） 共 6 页第 2页 三 、下图为单相半控桥式整流电路，负载为纯电阻负载，电阻R＝10(，输入电压U1=220V，U2＝110V，当控制角时，试完成下列任务（20分） 画出各指定量的波形图；（6分） 什么是整流电路“失控”现象，该电路能否发生“失控”现象？（4分） 3、计算输出平均电压Ud、电流Id；（ 6分 ） 4、计算输入电流i1的有效值。(4分)