新型半导体IGZO薄膜生长条件对性能影响的研究进展.docVIP

毕 业 论 文（设 计） 论文（设计）题目： 新型半导体IGZO薄膜生长条件对性能影响的研究进展 姓 名 尤红权 学 号 201000100134 学 院 物理学院 专 业 微电子科学与工程 年 级 2010级 指导教师 罗毅 2014 年 5 月 10 日 目 录 摘 要 3 ABSTRUCT 4 第一章 绪论 6 1.1 引言 6 1.2 IGZO-TFT的研究现状 6 第二章 IGZO的制备 7 2.1 射频磁控溅射法制备IGZO薄膜原理 7 2.2 溅射条件对IGZO-TFT性能的影响 9 2.2.1 氧含量对IGZO-TFT的影响 9 2.2.2 溅射时间对IGZO性能的影响 10 2.2.3 薄膜厚度对IGZO性能的影响 11 2.2.4 溅射功率对IGZO性能的影响 13 2.3 沟道长度比对IGZO性能的影响 13 第三章 退火温度对IGZO性能的影响 14 3.1 退火温度对IGZO性能的影响 14 3.2 退火次序对IGZO-TFT性能的影响 15 第四章 结论 15 致 谢 16 参考文献 16 摘 要 长期以来，非晶硅（a-Si:H）以制备简易，良好均一特性一直作为薄膜晶体管（TFT）的有源层材料。但是，随着人们对大尺寸透明柔性液晶屏的需求，a-Si:H载流子迁移率低的缺点被放大，a-Si:H-TFT已经很难跟上时代的潮流。一种新的薄膜晶体管有源层材料IGZO被人们所发现，IGZO全名是透明非晶氧化物半导体，具有迁移率高，开关比高，良好均一性等优点。 作为TFT的重要组成部分，有源层膜的厚度d，质量m，均一性对TFT器件的性能影响很大。所以，本文重点对IGZO生长过程中的各种因素对IGZO-TFT的性能影响作了研究。 （1）首先对用射频磁控溅射法制备IGZO薄膜的原理及过程进行综述，并分析溅射过程中溅射气体含量，溅射时间，膜厚度，sputter功率对IGZO-TFT性能的影响。为了抑制O空位的产生，我们在溅射过程中加入少量的O。将溅射温度设置为200℃，所制备的IGZO薄膜表面粗糙度低，均一性好。在溅射过程中IGZO-TFT的性能也随着溅射时间发生周期性的变。 我们还发现，IGZO-TFT的性能也会随着溅射功率的变化而产生变化。通过研究，在其他溅射条件相同的情况下，溅射功率为200W时所制备的IGZO薄膜的比同条件下100W所制备薄膜的表面更加平滑完整，而且表面透光率更高。 其次，通过控制溅射条件，我们选取了薄膜厚度分别为20 nm,30 nm,80 nm，100nm的IGZO薄膜作为TFT的有源。我们发现，并且当薄膜厚度为80nm时，器件性能最优。 （2）沟道长度比，退火技术对IGZO的性能也会产生一定的影响。我们对不同沟道长度下的IGZO-TFT性能的分析中发现：IGZO-TFT的性能和沟道宽长比成正比。因此，我们在实际应用中，希望将TFT的沟道宽长比做的越大，但也不能无限制地增大下去，因为当器件中的沟道过小时，IGZO-TFT的性能将不会按照长沟道模式进行变化。 退火技术对IGZO的影响也很大。首先，不同的退火次序会影响到IGZO-TFT的性能。我们发现：IGZO薄膜先经过溅射，再在空气中经300℃，持续30分钟退火，然后制备Ni源漏电极得到的IGZO-TFT迁移率为2.8 ，电流开关比为，阈值电压为10V。但薄膜晶体管制备完成后再在空气中相同条件下热退火，器件的阈值电压为30V，迁移率为0.3，电流开关比为。 200℃退火处理的器件和400℃处理的迁移率相当。但是，400℃处理时，IGZO薄膜出现结晶现象，使得薄膜表面因此变得粗糙，阻碍了有源层和源漏电极之间的联系。 关键词：IGZO；退火；TFT；磁控溅射 ABSTRUCT Over the years, the amorphous silicon has been the active layer material of the thin film transistor because of its great property. However, as people’s demand for large-size transparent flexible LCD screen, , a-Si: H has been difficult to keep up with the trend of the times because of its low carrier mobility. People di