(补)存储器实验报告.docVIP

《计算机组成原理》实验报告 实验名称 实验4： 实验日期 11月日 报告日期 专业 计算机科学与技术 班级 计 签名 学号 分工 看图、检查 权重 50% 成绩  掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。 TDN-CM+教学实验系统一套。 排线10条：8芯3条，2芯7条。 实验所用的半导体静态存储器电路原理如图4.4-1所示，实验中的静态存储器由一片6116（2K×8）构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯AD0～AD7与地址线相连，显示地址线内容。数据开关经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。 图4.4-1存储器实验原理图 由于地址寄存器为8位，所以接入6116 的地址为A7～A0，而高三位A8～A10接地，因此其实际容量为256字节。6116有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CE=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作。本实验中将OE常接地，在此情况下，当CE=0、WE=0 时进行读操作，CE=0、WE=1时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。 实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟，其中SW-B为低电平有效，LDAR为高电平有效。 形成时钟脉冲信号T3 接通电源，用示波器连接线接入方波信号源的输出插孔H23。 将时序电路模块（STATE UNIT）单元中的ф和信号源单元（SIGNAL UNIT）中的H23排针相连。 在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP” 。将“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“EXEC”状态时，按动微动开关START，则TS3端即输出为连续的方波信号，此时调节电位器W1及W2，用示波器连接线的探针分别插入H23，再用示波器观察（PC联机软件中的双踪示波器功能可代替真实示波器观察波形，将实验箱和PC机相连并通电后，启动CMP软件，在上导航栏的“波形”菜单中点“启动”即可）。 然后将“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“STEP”状态，按动一次微动开关START，则T3输出一个单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。 关闭电源。 连线 按图4.4-2连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。由于存储器模块内部的连线已经接好，因此只需完成实验电路的形成、控制信号模拟开关、时钟脉冲信号T3与存储模块的外部连接。 注意： ADDRESS UNIT的LDAR（单针）与SWITCH UNIT的LDAR（双针）的连接； MAIN MEM单元的A7～A0与EXT BUS单元的AD0～AD7的连接（高、低位交叉连接）。 图4.4-2静态随机存储器实验接线图 写存储器 给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H。 由图4.4-1存储器实验原理图可以看出，由于数据和地址全由一个数据开关来给出，这就要分时给出。 下面写存储器要分两个步骤： 第1步写地址： 先将时序电路模块中二进制开关“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“STEP”状态，并将实验系统右下角的CLR清零开关拨到1； 关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0）； 由数据开关给出要写存储单元的地址：例 按动START产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器。 第2步写数据： 关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），打开存储器片选（CE=0、WE=1），使之处于写状态； 由数据开关给出此单元要写入的数据：例 按动START 产生T3脉冲将数据写入到当前的地址单元中。 注：写其它单元依次循环上述步骤。 写存储器流程如图4.4-3所示（以向00号单元写入11H为例）： 图4.4-3写存储流程图 读存储器 依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。 同写操作类似，读每个单元也需要两步。 第1步写地址： 先将时序电路模块中二进制开关“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“STEP”状态，并将实验系统右下角的CLR清零开关拨到1； 关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存器门控信号（LDAR=1），打开数据开关三态门（SW-B=0）； 由数据开关给出要写存储单元的地址：例 按动START产生T3脉冲将地址打入到地址锁存器。 第2步读存储器： 关掉地址锁存器门控信号