1章半导体二极管及其基本电路.pptVIP

公式法： 1.4 半导体二极管的应用 二极管在电路中有着广泛的应用，利用它的单向导电性，可组成整流、限幅、检波电路，还可做保护元件以及在数字电路中作为开关元件等。 1.4.2 二极管在整流电路中的应用 uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) 1.3.1二极管的恒压降模型 1.3.３　二极管的交流小信号模型 图解法 注意：rd为交流电阻，与直流电阻RD不同。 1.4.1 二极管在限幅电路中的应用 限幅电路分为串联限幅电路、并联限幅电路、 并联限幅电路和双向限幅电路三种?。 1. 串联限幅电路 E?0时传输特性 电路组成 E?0时输出波形 E=0时输出波形 E?0时输出波形 工作原理 2. 并联限幅电路 3. 双向限幅电路 P17 例1-4 1. 单相半波整流电路 2. 全波整流电路 模 拟 电 子 技 术 第 1 章 半导体二极管及其基本电路 1.1　半导体的基础知识 1.2　半导体二极管 1.3　二极管电路的分析方法 1. 5　特殊二极管 　小　结 1.4 半导体二极管的应用 1.1　半导体的基础知识 1.1.1　本征半导体 1.1.2　杂质半导体 1.1.3　PN结 半导体的特点 1.热敏性：半导体的导电能力与温度有关 利用该特性可做成热敏电阻 2.光敏性：半导体的导电能力与光的照射有关系 利用该特性可做成光敏电阻 3.掺杂性：掺入有用的杂质可以改变半导体的导电能力 利用该特性可做成半导体器件 1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 硅(锗)的原子结构 简化 模型 惯性核 价电子 (束缚电子) 1、半导体的原子结构 2、本征半导体的晶体结构 硅(锗)的共价键结构 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 3、本征半导体的导电情况 自 由 电 子 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 当温度为绝对零度以下时，该结构为绝缘体 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴) 漂 移： 　　自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 载流子 ： 　　自由运动的带电粒子 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 结论： 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 本征激发： 复 合： 　　自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 　　在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 1.1.2 杂质半导体 一、N 型半导体 N 型 +5 +4 +4 +4 +4 +4 磷原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 二、 P 型半导体 P 型 +3 +4 +4 +4 +4 +4 硼原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 三、杂质半导体的导电作用 I IP IN I = IP + IN N 型半导体 I ? IN P 型半导体 I ? IP 四、P 型、N 型半导体的简化图示 负离子 多数载流子 少数载流子 正离子 多数载流子 少数载流子 P 型： N 型： 1.1.3 PN 结 一、PN 结(PN Junction)的形成 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 复合使交界面形成空间电荷区 产生了一个内电场，电场的作用是阻碍多子的扩散促进少子产生漂移 内建电场 此时产生了两种电流：扩散电流和漂移电流 3. 继续扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 二、PN 结的单向导电性 1）. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias 此时形成的空间电荷区域称为PN结（耗尽层） 1.定性分析 P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 2）. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使多子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。 IR PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;