半导体器件原理研讨作业01多晶硅发射极双极型晶体管.pptVIP

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2017-02-13 发布于湖北
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半导体器件原理研讨作业01多晶硅发射极双极型晶体管.ppt

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半导体器件原理研讨作业01多晶硅发射极双极型晶体管近年来，双极型晶体管采用重掺杂多晶硅作为发射极已成为一种主流趋势，如下图所示。采用多晶硅发射极工艺，可以提高晶体管的电流增益，减小管子上升和下降时延，改善其频率特性。请参看相关的书籍和文献。讨论重掺杂多晶硅双极型晶体管能带分布，少子分布，电流分布，增益，频率等特性以及不同参数对电学特性的影响。每组必须有自己的特色，有所侧重，不可雷同，如果有条件可以加入软件模拟数据。鼓励自由发挥，可以不拘泥于上述内容。讨论日期：11月2日讨论形式：2个人为一组，自由组合，其中一名同学主讲，另外同学可做补充，每人一次轮换。讨论会前两天各组把名单和准备的PPT发给我。每组20分钟，演讲结束后还有5分钟的提问时间，采用PPT演讲形式。全体学生名单（共18人），分为9组，每组2人。 12307130319 薛晓强彭小冉周文吉邱颖慧 14307130002 曹佳新 14307130018 胡瀛 14307130108 李春庆 14307130113 侯元钊 14307130119 陈垦 14307130147 严翔 14307130183 杨天文 14307130191 李怡杰 14307130213 雷良波 14307130240 杨涵 14307130260 谢金宇 14307130278 程绍宝 14307130354 李洁阳 14307130411 董晨洁