锗和硅的化学制备精讲.pptVIP

  • 4
  • 0
  • 约 11页
  • 2017-02-13 发布于湖北
  • 举报
第一章 锗和硅的化学制备 §1.1 锗和硅的物理化学性质 §1.2 高纯硅的制备 §1.3 锗的富集与提纯 §1.1 锗和硅的物理化学性质 锗和硅都是IV族元素,分别具有银白色和灰色金属光泽,其晶体硬而脆,融化后体积会收缩。 性质 符号 硅 锗 单位 原子序数 Z 14 32 晶体结构 金刚石型(0.54nm) 金刚石型(0.56nm) 熔点 Tm 1417 937 ℃ 热导率 ?? 1.57 0.6 W/(cm·℃) 介电常数 ?r 11.7 16.3 禁带宽度 Eg 1.1(300K) 0.67(300K) eV 电子(空穴)迁移率 ? 1350(480) 3900(1900) cm2·V-1·s-1 电子(空穴)扩散系数 D 34.6(12.3) 100(48.7) cm2·V-1·s-1 本征电阻率 ? 2.3E5 46 Ω·cm 本征载流子密度 ni 1.5E10 2.4E13 cm-3 杨氏模量 E 1.9E7 N·cm-2 表1 锗和硅的主要物理性质 从锗和硅的物理性质中可以看出:硅的禁带宽度比锗大,电阻率高,因此可以制作高压器件,且工作温度比锗器件高。但锗的迁移率比硅大,因此可以制作低压大电流和高频器件。 在室温下,硅和锗的化学性质比较稳定,与空气、水和酸均无反应。但可与强酸强碱作用。 注:在室温下,硅与空气中的氧气可以在短时间内形成几

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档