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  半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 半导体三极管图片 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。 发射结加正偏，扩散运动形成发射极电流IE。 自由电子扩散电流——IEN 空穴扩散电流——IEP 集电结(收集结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC。 基区非平衡少子漂移电流——ICN 平衡少子漂移电流——ICBO。 * * 双极型半导体三极管 场效应半导体三极管 双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。 场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电，是一种VCCS器件。 1.3.1 BJT的结构及类型 1.3 双极型晶体管（BJT） 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 1.3.3 BJT的共射特性曲线 1.3.4 BJT的主要参数 1.3.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 NPN型三极管 基本共射放大电路 ： 基极电流控制集电极电流 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 一. 晶体管内部载流子的运动 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 扩散到基区的自由电子与空穴的复合形成基极电流IB 基区复合电流——IBN 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 二. 电流分配关系 (动画2-1) IE =IC+IB 三. 共射电流放大系数 ? 是交流电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 因 ≈1, 所以 ? 1 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。 若两个PN结对接，相当于基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 1.3.2 BJT的电流分配与放大原理 问题： 为什么当温度升高时，三极管将失 去放大作用？从物理概念上加以说 明。 * *