原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
南京邮电大学
课内实验报告
课 程 名： 微 电 子 器 件 设 计
任课教师：
专 业： 微 电 子 学
学 号：
姓 名：
2014/2015学年 第2学期
南京邮电大学 电子科学与工程学院
《微电子器件设计》课程实验第 3 次实验报告
实验内容及基本要求：
实验项目名称：NMOS晶体管的工艺模拟
实验类型：验证
每组人数：1
实验内容及要求：
内容：采用Tsuprem4仿真软件对NMOS晶体管进行工艺仿真。
要求：能够用Tsuprem4编制工艺仿真程序、会看工艺参数并能调整工艺流程。会将工艺仿真结果输出到文件中去。
实验考核办法：
实验结束要求写出实验报告。内容如下：
1、问题的分析与解答；
2、结果分析，比较不同工艺参数对结构的影响；
3、器件设计的进一步思考。
实验结果：（附后）
$ TMA TSUPREM-4 N-channel MOS application
$ 1. Identify the graphics driver
$ Default from DEFPDEV, TERM, or S4PCAP default entry used
$ 2. Beginning of the main loop
FOREACH LD ( 3 5 )
$ 3. Specify the mesh
MESH GRID.FAC=1.5
MESH DY.SURF=0.01 LY.SURF=0.04 LY.ACTIV=2.0
$ 4. Initialize
INITIALIZE 100 BORON=1E15 WIDTH=( 0.7 + ( LD / 10.0 ) ) DX=0.1
$ 5. Plot the initial mesh
SELECT TITLE=Mesh for Delta=0.@{LD}
PLOT.2D SCALE GRID Y.MAX=3.0 C.GRID=2
$ 6. Initial oxide pad
DEPOSIT OXIDE THICKNESS=0.03
$ 7. P-well implant
IMPLANT BORON DOSE=1E12 ENERGY=35
$ 8. Use a point defect models that simulates OED
METHOD PD.TRANS
$ 9. P-well drive
DIFFUSE TEMP=1100 TIME=120 DRYO2 PRESS=0.02
$ 10. P-well doping profile
SELECT Z=LOG10(BORON) TITLE=Channel Doping (Delta=0.@{LD})
PLOT.1D X.VALUE=0 RIGHT=3.0 BOTTOM=15 TOP=19 LINE.TYP=2 COLOR=2
LABEL X=1.8 Y=18.5 LABEL=After p-well drive LINE.TYP=2 C.LINE=2
$ 11. Pad nitride
DEPOSIT NITRIDE THICKNESS=0.1
$ 12. Field implant and oxidation
IMPLANT BORON DOSE=5E13 ENERGY=80
DIFFUSE TEMP=1000 TIME=360 WETO2
$ 13. Etch to remove the pad
ETCH NITRIDE ALL
$ 14. Vt adjust implant
IMPLANT BORON ENERGY=100 DOSE=1E12
$ 15. P-well doping profile
SELECT Z=LOG10(BORON)
PLOT.1D X.VALUE=0 ^AXES ^CLEAR COLOR=2
LABEL X=1.8 Y=18.2 LABEL=After Vt implant LINE.TYP=1 C.LINE=2
$ 16. Print oxide and silicon thicknesses
SELECT Z=1
PRINT.1D X.VALUE=0.0 LAYERS
$ 17. Etch oxide
ETCH
文档评论（0）