集电作业-硅片制备概要.ppt

* 集成电路工程之---- 硅片制备 主讲人：杨会山 学号：1511082705 * 本次研究目的：研究硅片的制备过程， 即 沙子 硅片 包括： 硅的提纯 单晶硅生长 硅片制备 * 以下是订购硅晶圆时，所需说明的规格： 项目 说明晶面 {100}、{111}、 {110}?±?1o外径(吋) 6 8 12 厚度(微米) 300~450 450~600 550~650 600~750(±25)杂质 p型、n型阻值(Ω-cm) 0.01?(低阻值)?~?100?(高阻值)制作方式 CZ、FZ?(高阻值)拋光面 单面、双面平坦度(埃) 300?~?3,000 * §1 硅的提纯 半导体级硅（SGS）或电子级硅： 用来做硅片的高纯硅被称为半导体级硅（SGS）或电子级硅。 纯度：99.9999999% * 硅的提纯过程 1.用碳加热硅石制备冶金级硅（MGS） 2. 通过化学反应将冶金级硅提纯生成三氯硅烷 3.利用西门子法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅（SGS） * §2单晶硅生长 目前主要有两种不同的生长方法： 直拉法（CZ法） 区熔法 * 直拉法（CZ法） 85%的单晶都是通过直拉法生长的。（优点：工艺成熟，能较好地拉制低位错、大直径的硅单晶。 缺点：是难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染。 ） 应用：生长大直径低电阻率的硅单晶。 * 单晶拉制过程 1.清洁处理----炉膛、多晶硅、籽晶、掺杂剂、坩埚等等 2.装炉----装多晶硅、掺杂剂 3.抽真空 4.回充保护性气体 5.加热融化----15000C左右 6.单晶拉制 7.关炉降温 * 单晶生长的过程： （1）下种 （2）缩颈； （3）放肩； （4）等颈生长； （5）收尾。 * 单晶锭 * §3 硅片制备 硅片制备是指将单晶棒经过切片、磨片、抛光等一系列的工序加工成用来做芯片的薄片。 * 晶园(Wafer) 晶棒成長 切片(Slicing) 研磨(Lapping) 清洗(Cleaning) 拋光(Polishing) 檢查(Inspection) * 硅片制备流程 一.整型处理 二.切片 三.磨片和倒角 四.腐蚀 五.抛光 六.清洗 七.硅片评估 八.包装 * 一.整型处理 包括切片之前对单晶锭的所有准备步骤： 1.去掉两端 2.径向研磨 3.硅片定位边 或定位槽 两端去除 径向研磨 定位面研磨 * 定位边 定位槽 * 二.切片 200mm的硅片用用有金刚石涂层的内园切割机把晶片从晶体上切下来； 300mm的硅片用线锯切割。 * 内园与线切割机 * 三.磨片和倒角 磨片----是一个传统的磨料研磨工艺，对硅片进行双面机械磨片以去除切片时留下的损伤，以达到硅片两面高度的平行及平坦。 用垫片和带有磨料的浆料利用旋转的压力来完成----机械作用。 * 倒角 ----边缘抛光休整，使硅片边缘获得光滑的半径周线。为解决硅片边缘碎裂所引起的表面质量下降，以及光刻涂胶和外延的边缘凸起等问题的边缘弧形工艺。 普遍采用的是用倒角机以成型的砂轮磨削硅片边缘，直到硅片边缘形状与轮的形状一致为止。 * 四. 刻蚀（腐蚀） 目的是除去切磨后硅片表面的损伤层和沾污层，改善表面质量和提高表面平整度。 化学方法； 腐蚀20微米的硅； * 五.抛光 普通的磨片完成过后硅片表面还有一个薄层的表面缺陷。 抛光的目的是使硅片表面真正达到高度平整、光洁如镜的理想表面。 机械