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硅片清洗装置 precision thin film, resistivity, CD and step height measurement. 检测工序 检查晶圆 * * 第四节 CMOS集成电路加工过程简介 一、硅片制备 二、前部工序 * * CMOS 工艺简介 CMOS集成电路电路中，主要元件是；PMOS,NMOS,R,C,L及金属连线。 MOS是 Metal Oxide Semiconductor Silicon MOS管有三种主要材料：金属、二氧化硅及硅构成 * * 掩膜1： P阱光刻 具体步骤如下： 1．生长二氧化硅： * * 2．P阱光刻： 涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀 3．去胶 4．掺杂：掺入B元素 * * 掩膜2 ： 光刻有源区 淀积氮化硅 光刻有源区 场区氧化 去除有源区氮化硅及二氧化硅 生长栅氧 淀积多晶硅 * * * * 掩膜3 ：光刻多晶硅 掩膜4 ：P+区光刻 1、P+区光刻 2、离子注入B+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶 * * 掩膜5 ： N+区光刻 1、N+区光刻 2、离子注入P+ 3、去胶 * * 掩膜6 ：光刻接触孔 * * 掩膜7 ：光刻铝引线 1、淀积铝 2、光刻铝 * * 掩膜8 ：刻钝化孔 中测打点 * * 三、后部封装 （在另外厂房） （1）背面减薄 （2）切片 （3）粘片 （4）压焊：金丝球焊 （5）切筋 （6）整形 （7）所封 （8）沾锡：保证管脚的电学接触 （9）老化 （10）成测 （11）打印、包装 ?#? 1 [培训人员注意事项：有关自定义此模板的详细帮助，请参见最后一张幻灯片。另外，部分幻灯片的备注窗格中还提供了其他课程文本。] ?#? 4 ?#? 4 ?#? 5 ?#? 6 按器件结构类型分类 Bipolar： NPN PNP CMOS ： 互补MOS NMOS+PMOS BiCMOS ： Bipolar+ CMOS BCD Bipolar+ CMOS +DMOS 集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目 类 别 数字集成电路 模拟集成电路 MOS IC 双极IC SSI 102 100 30 MSI 102?103 100?500 30?100 LSI 103?105 500?2000 100?300 VLSI 105?107 2000 300 ULSI 107?109 GSI 109 按集成度分类 数模混合集成电路(Digital - Analog IC) ： 例如 数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。 按电路功能分类 数字集成电路(Digital IC)： 是指处理数字信号的集成电路，即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路。 模拟集成电路(Analog IC)： 是指处理模拟信号(连续变化的信号)的集成电路， 通常又可分为线性集成电路和非线性集成电路 ： 线性集成电路：又叫放大集成电路，如运算放大器、电压比较器、跟随器等。 非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路。 标准通用集成电路 通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高，然而社会需求量大，通用性强。 按应用领域分类 专用集成电路 根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称ASIC（Application Specific Integrated Circuit)，其特点是集成度较高功能较多，功耗较小，封装形式多样。 1. 特征尺寸 (Feature Size) / （Critical Dimension） 特征尺寸定义为器件中最小线条宽度 (对MOS器件而言，通常指器件栅极所决定的沟道长度) 描述集成电路工艺技术水平的 三个技术指标 减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。 特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。 集成电路的特征尺寸向深亚微米发展，目前国内的规模化生产是0.18μm、0.13μm工艺， Intel目前Core i7 3770 工艺22 nm 。 当前主流8英寸 —12英寸晶圆。 1 inch =2.54 cm 尺寸从2吋～12吋成比例增加的晶圆 2. 晶圆直径(Wafer Diameter) 第 1 课 集成电路工艺基础 术语 Wet cleans 清洗 Phot