年产200t单晶硅暨1200万片单晶硅切片生产线项目可行性报告书.doc

太阳能光伏新能源产业 年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片生产线项目 可行性研究报告 目 录 第一章 项目概况 1 1.1概述 1 1.2编制依据及编制原则 2 1.3建设内容及规模 3 1.4主要技术经济指标 4 1.5结论与建议 4 第二章 项目建设单位概况 6 2.1项目发展商概况 6 2.2项目业主单位概况 7 第三章 项目区基本概况 9 3.1霍尔果斯优势介绍 9 3.2中哈霍尔果斯国际边境合作中心概况 14 第四章 项目建设的背景及必要性 16 4.1项目建设的背景 16 4.2项目建设的必要性 18 第五章 建设规模及建设内容 23 5.1建设规模确定依据 23 5.2建设规模 24 5.3用地规模 24 第六章 项目选址及配套条件 25 6.1场址选择 25 6.2自然条件 25 6.3配套条件 27 6.4周边条件 30 第七章 建设方案 32 7.1建筑设计指导思想与原则 32 7.2项目建设定位 33 7.3项目总体规划方案 33 7.4建筑方案 36 7.5设备方案 37 7.6配套设施 37 第八章 环境保护 43 8.1采用的国家标准或设计规范 43 8.2主要污染物分析 44 8.3污染控制方案 44 8.4绿化设计 50 8.5本项目环境影响初步分析 50 第九章 节能方案设计与分析 51 9.1节能设计原则及采用标准 51 9.2建筑热工设计 52 9.3给排水节能措施 54 9.4道路节能措施 55 9.5电气节能措施 55 9.6节能管理 57 9.7主要能耗指标及分析 58 第十章 防洪、消防、安全与劳动卫生 59 10.1防洪 59 10.2消防工程 60 10.3安全 62 10.4劳动卫生 64 第十一章 项目组织机构及实施管理 65 11.1建设期管理 65 11.2 定员 68 11.3 建设进度管理 68 第十二章 招投标管理 70 12.1招标范围及依据 70 12.2招标组织形式 70 12.3招标方式 71 12.4招标初步方案 71 第十三章 投资估算及资金筹措 73 13.1投资估算 73 13.2资金筹措 74 第十四章 经济和社会效益分析 75 14.1财务评价 75 14.2 社会效益分析 82 第十五章 结论及建议 86  第一章 总 论 1.1项目概况 项目名称：*****有限公司年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片生产线项目 新建企业名称：*****有限公司 项目负责人：*** 项目建设地点：***** 1.2项目提出的背景 硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。 现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3～8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3～6英寸。外延片主要用于集成电路领域。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半