电子工程物理基础(4-1)2014讲解.ppt

(2)中温强电离区 电中性方程 两边取对数,并整理 载流子浓度: (只含施主) (本征激发不可忽略) 电中性方程 (3)过渡区 n0---多数载流子 p0---少数载流子 (只含施主) （全电离） (4)高温本征区 (本征激发产生的载流子远多于杂质电离产生的载流子) 电中性方程 载流子浓度: (只含施主) 温 区 低温 中温 高温 费米能级 载流子浓度 以中温为例，考察EF~ND ND一定,EF~T T一定, EF~ND 低温 中温 高温 结果分析 Si 、Ge : Nc~1019/cm3 GaAs: Nc~1017/cm3 简并情况 电子和空穴的分布规律不再能用波尔兹曼分布来近似，而必须采用费米-狄拉克分布。 类似的 费米积分 例1.计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。（对于硅材料：ND=9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3；T＝300k时 ni=1.5×1010cm-3） 例2．制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散