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本章内容 开关特性：二极管、三极管、MOS管 三种管子的特性曲线与主要参数 重点和难点 重点： １、理解PN结的单向导电性。 ２、理解三极管的电流放大作用及实现电流作用的外部工作条件。理解三极管的输入特性和输出特性以及主要参数。 ３、掌握三极管输出特性曲线中的截止区、放大区和饱和区等概念。 ４、熟悉对三极管开关电路工作状态的分析方法。 ５、熟悉MOS场效应管的分类及符号。 难点： １、载流子运动规律与器件外部特性的关系。只须了解，不必深究 半导体基本知识 半导体： 定义:导电性能介于导体和绝缘之间的物质 材料:常见硅、锗 硅、锗晶体的每个原子均是靠共价键紧密结合在一起。 本征半导体 本征半导体：纯净的半导体。0K时，价电子不能挣脱共价键而参与导电，因此不导电。随T上升晶体中少数的价电子获得能量。挣脱共价键束缚，成为自由电子，原来共价键处留下空位称为空穴。空穴与自由电子统称载流子。 自由电子：负电荷 空穴：正电荷 不导电 自由电子与空穴成对出现/复合 杂质半导体 杂质半导体： 在本征半导体中掺入微量杂质。 导电性能发生变化 N型半导体 P型半导体 N型半导体/电子型半导体 定义：硅晶体中掺入五价元素（磷、锑） 自由电子（多子）：掺杂+热激发 空穴（少子）：热激发 P型半导体/空穴型半导体 定义：硅晶体中掺入三价元素（硼、铟） 自由电子（少子）：热激发 空穴（多子）：掺杂+热激发 总结： 多子：掺杂（主）+热激发 少子：热激发（主） PN结的形成 多子扩散运动形成耗尽层 空穴浓度： P区N区；自由电子：P区N区 多子由浓度高—浓度低扩散，扩散到对方复合，交界区仅剩正负离子形成耗尽层/阻挡层/空间电荷区/内电场EIN。 少子漂移运动 内电场的存在，阻止了多子的扩散，P区的少子——电子，N区少子——空穴， 内电场作用下向对方移动——漂移。 总结：PN结中存在：由浓度差引起的多子扩散运动，它使阻挡层变宽；由内电场作用下产生的少子漂移运动，它使阻挡层变窄。当两者强度相当时，达到动态平衡。 思考 ：PN结内部存在电场，若将P区与N区端点用导线连接，是否有电流流过？ 无电流流过 在无外电压的条件下，扩散电流=漂移电流，且方向相反，处于平衡状态，所以流过交界面的静态电流为0。 （一）?? PN结的单向导电性 1．? 加正向电压（正向偏置） P区接电源正极，N区接电源负极。 外电场EEXT与内电场EIN方向相反。即削弱了内电场，空间电荷区变窄，有利于多子扩散，不利于少子漂移，使扩散电流大大超过了漂移电流，于是回路形成较大的正向电流IF。 EEXT EIN 截止 EEXT EIN 导通 (一)?PN结的单向导电性 2.? 加反向电压（反向偏置） P区接电源负极，N区接电源正极。 外电场EEXT与内电场EIN方向相同。即加强了内电场，空间电荷区变宽，不利于多子扩散，有利于少子漂移，使漂移电流超过扩散电流，于是回路中形成反向电流IR。因为是少子产生，所以很微弱。 PN结截止 （一）?? PN结的单向导电性 总结：PN结具有单向导电性，当正向偏置时，有较大的正向电流，电阻很小，成导通状态，反向偏置时电流很小（几乎为0）。电阻很大，成截止状态。 PN结的伏安特性 正向特性（u0） UON：开启/导通电压 硅：0.5V 锗：0.1V 反向特性 (u0) 击穿特性 U（RB）：击穿电压 稳压管使用 半导体二极管 A：阳极/正极 K：阴极/负极 二极管的伏安特性与PN结伏安特性一致。 二极管主要参数： 1．? 最大正向电流IF 2．? 反向击穿电压U（RB） 3．? 反向电流IR 4．? 最高工作频率FT 和反向恢复时间tre 5、 温度影响 限幅电路如图示：假设输入UI为一周期性矩形脉冲，低电压UIL=-5V，高电压UIH=5V。 当输入UI为-5V时，二极管D截止， 视为“开路”，输出UO=0V。 当输入UI为+5V时，二极管D导通， 由于其等效电阻RD相对于负载电 阻R的值小得多，故UI基本落在R上， 即UO=UI=+5V。 二极管分析 1、分析二极管的状态：是导通还是截止——二极管的两端电压：若是反偏则截止；若是正偏还要看P的电压是否比N的电压高Uon（导通电压）是则导通，否则截止。若是理想二级管，Uon=0V。2、二极管导通则相当于一导线（理想状态）或一个小电阻（非理想状态）；截止则相当于断开的开关。 稳压管及其应用 工作在反向击穿状态，输出稳定值 与普通二极管相反，阴极：高；阳极：低 如图：稳压值5.6V，IZ：5mA~82mA，分析电路 不接RL时 ，IL=0，I1=IZD ，RMIN=(12-5.6)/IZM=78Ω ， 若选R=