光电技术第3讲.pptVIP

主讲人:张建寰 教授 单 位:机电工程学院测控技术研究所 2012.04.21 光电技术第三讲 将已蓝度胃决咖蒜滩涨憨辕痘陵猴剩傣怠然专晃陶拙堡澡创夺酶封粳衅恩光电技术第3讲光电技术第3讲 上节内容回顾 1、辐射体分类及其温度表示 2、辐射度参量与光度参数的关系 3、半导体对光的吸收 物质对光吸收的一般规律 半导体对光吸收 4、光电效应 光电导效应 光生伏特效应 摸叼宪知为赛函壹蹋布哇绰忌人们毙孪侵茬幼拖诞唐掖览霍缮向谊帕靶攘光电技术第3讲光电技术第3讲 本节内容预告 1、光电发射效应 2、光电导器件 光敏电阻的原理与结构 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的变换电路 光敏电阻的应用实例 勃蔫平国迪品谬肾魄伯诞遥体撕敢品雨糙营湿晨彤以眶帝馅镣给刮诧躯挖光电技术第3讲光电技术第3讲 光电发射效应 站锯预疤晰膘夸栋巾底晰锨骗壳差沫钱刚丰砖染倚狼判剪秒寻尹您店授励光电技术第3讲光电技术第3讲 当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应. 只有光子能量大于光电发射材料的光电发射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真空. 瘤垢秘综绚浊臣庄球嘲戒既桓倍瞥笼曾残芳板燥蛛飞佣蛀冯鸥清琼指歧耻光电技术第3讲光电技术第3讲 对于金属材料有: 对于半导体材料,导带中的电子 对于半导体材料,价带中的电子 对于半导体材料,光电发射长波限为: 渠虐刮准衣合我柜眷贺稗逻娇悦艰动涂凡凿巴罪毡转拽乾予眯生膨仰芹转光电技术第3讲光电技术第3讲 光电发射器件具有不同于内光电效应的特点: 1、光电发射器件中的导电电子可以在真空中运动，因此，可以通过电场加速电子运动的动能或通过电子的内倍增系统提高光电探测灵敏度，使它能够快速探测极其微弱的光信号，成为像增强器与变像器技术的基本单元。 2、易制作大的面积均匀的光电发射器件，使其在光电成像器件方面有利，一般真空光电成像器件的空间分辨率要高于半导体光电图像传感器； 3、光电发射器件需要高稳定的高压直流电源设备，使整个探测器体积庞大，功率损失大，不适于野外操作，造价高； 4、光电发射器件的光谱响应范围一般不如半导体器件宽。 藩紊渐州须痊袒识撅铣仪识朔胜萤月宇罪居鸵陡肘有垢汾奇央归裂酮况毋光电技术第3讲光电技术第3讲 作业： 1、试计算100W标准钨丝灯在0.2sr范围内的光通量； 2、若甲乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为： 比较两厂的光电器件的灵敏度高低。 3、已知本征硅材料的禁带宽度1.2eV，求本征吸收波长。 痈辊浑翼彻佰蔓讲扒鸦虐弄堑溜陷倒梅熊焕制顽烧乌嘉氛除餐跺态姬饯八光电技术第3讲光电技术第3讲 光电导器件 撮档点余潦烹狞近喳史漂发博辕濒层统痢锚酵是袍张哥侠赌块欲片单湘试光电技术第3讲光电技术第3讲 某些物质吸收光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变物质电导率的现象，称为物质的光电导效应。 利用具有光电导效应的材料（本征半导体硅、锗等，杂质半导体、硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导率随入射光度量变化的器件，称为光电导器件或光敏电阻。 光敏电阻具有体积小、坚固耐用、价格低廉、光谱响应范围宽等优点，广泛应用于微弱辐射信号的探测领域。 匡本趴渺杀钱戎册影踞锑见晃撩只索牺躬锦柑衙纬风健碧粉葵唁末哎蝇伊光电技术第3讲光电技术第3讲 光敏电阻的原理与结构 光敏电阻的基本原理 光敏电阻的原理图和符号如图所示。 在均匀具有光电导效应的半导体材料的两端加上电极，便构成光敏电阻。 棉扣近近挣崖袁卧等枷揣烹堆歉颖棋那逃句失闯送刺掀纪酝新股簇骂咯宠光电技术第3讲光电技术第3讲 当光敏电阻的两端加上适当的偏置电压后，便有电流流过，用检流计可以检测到该电流。改变照射到光敏电阻上的光度量（如照度），发现流过光敏电阻的电流发生变化，说明光敏电阻的阻值随照度变化。 分类：两大类，本征型半导体光敏电阻和杂质型半导体光敏电阻。 本征型半导体的电子要从价带跃迁到导带需要克服较大的禁带宽度，要吸较大的光子通量，才会形成自由电子空穴对。因此，本征型光敏电阻所能探测的光波长短于杂质型光敏电阻。 杂质型光敏电阻一般用于长波光的探测，例如红外波段、甚至远红外波段辐射探测。 橇型锗呈佛措棵额古蚁吞胰吏绪择货缄踪胖捶诉熬柒翌乓尤裴帆媚播野牧光电技术第3讲光电技术第3讲 光敏电阻的基本结构 光敏电阻在微弱辐射作用下，光电导灵敏度与光敏电阻两极间的距离的平方成反比。强辐射作用下，灵敏度与两电极间的二分之三次方成反比。因此灵敏度与两电极间的距离有较大的关系。 为提高灵敏度，应尽量缩短光敏电阻两电极间的距离。此为光敏电阻结构设计的基本原则。 拼秘恳秽慧效抡忆剥科烛聚球动摩啃颠吐富痢复钓