（修改6）量子力学探求PMF电场对CVD金刚石沉积的影响.docVIP

量子力学探求PMF对CVD金刚石沉积影响的机理 开发了新的提高金刚石膜形核和生长速率的PMF辅助热丝化学气相沉积技术并对电磁场影响形核、生长的机理进行研究。采用量子力学、化学反应动力学、热力学的基本原理，通过理论计算提出模型并通过与试验数据比较，解释了实验现象。发现磁场产生的感生电场对金刚石形核的起到重要的影响，形核率随着电场能量的变化而发生相应变化；周期性磁场对金刚石膜的生长速度起到重要的影响。结合这两种影响因素，较为成功地描述了在PMF作用下，金刚石膜的形核和生长规律，这一理论研究可能为其它潜在应用此技术提供理论依据，对解决电磁场对化学反应的影响机理有重要意义。 1.1旋转磁场产生的电场： 图，旋转磁场 旋转磁场每一点的速度为。 磁场强度为。 所以旋转磁场产生的电场为 即 化简得 1.2,PMF产生的电场对电子能态的影响： 未加PMF的CVD金刚石反应体系分子的活化主要依靠热辐射完成，设此时这一复杂体系的辐射场哈密顿量为，相对于热辐射场而言，PMF加给体系的哈密顿量表达为，属于微扰。 设电子的的初始电子态为“Donor”态，在PMF下的态跃迁为“Acceptor”态 ，波函数定义为。“Acceptor”态是指电子在PMF作用下跃迁到能量较高的“活化态”或者能量较低的“钝化态”的波函数。 假设电场可以写为， 其中是与时间无关的量。根据微扰理论并且取一级近似，在微扰下电子从态跃迁到态的概率为： 定义， 若时间足够长，可以求得： 定义为跃迁速率，可以得到： 根据我们在1.1求出的，我们就得到电子由未活化态跃迁到活化态或钝化态的速率为： 可见PMF可能使电子的能级升高，也可能使电子的能级降低。跃迁的速率与成正比。 1.3，PMF对金刚石生长的的影响： 根据化学反应动力学，化学反应速率与活化分子的数目成比例关系。如果我们将未活化分子的的数目定义为，由于PMF的作用，单位时间将有的分子成为活化分子，同时也将有的分子变为钝化分子。显然钝化分子越多越不利于化学反应，因此化学反应应与钝化分子数目成反比，与活化分子的数目成正比。越大，意味着活化分子与钝化分子的数目都增多，对于化学反应而言，就表现出复杂的关系。同样活化分子得到电子传递的能量也会加速化学反应，这个能量以指数的形式出现，对化学反应至关重要。假设、为未加PMF时活化分子与钝化分子的个数。（细致描述下） 化学反应动力学的细致描述： 对于反应： 对于复杂化学反应，反应速率一般可以写为：，其中、、、为常数。 由阿伦尼乌斯公式可知：，其中为常数，为活化能。 由此可以确定化学反应速率的经验公式为，对于我们金刚石化学气相沉积而言，体系更为复杂，因此可以将反应物和生成物的浓度写在一起，可以得到沉积速率的公式为： 高能分子获得的能量与磁场频率成正比，这个能量起到降低活化能的作用。可以假设降低的活化能为。 根据化学反应动力学，加有PMF的CVD体系化学反应速率为： 未加PMF时的化学反应速率为： 对于弱场，我们可以认为，因此近似后得到： 最终得到拟合公式为 z=312（1-3E)*(1+17E)*e0.001w 1.4 ，PMF静磁场对金刚石生长的影响： 在上面的计算中，我们没有考虑到PMF的静磁场对电子的约束作用，发现计算曲线对有些实验点不能很好的符合。考虑到周期性的电场使电子的能量提高，磁场的约束作用增加了电子与分子碰撞的效率，下面针对磁场，对上述计算进行了修正。 根据静磁场电子运动的洛伦兹半径，磁场越大，电子运动半径越小，我们假设此时电子传能的效率正比于。单位时间将有的分子成为活化分子，同时也将有的分子变为钝化分子。 z=312*(1-E.*3-B.*0.001).*(1+E.*17+0.01.*B).*exp(x.*0.001) 1.5，PMF对金刚石形核的影响： 对于金刚石沉积。从热力学上讲形核要比生长困难。因此形核主要受到高能活化分子的影响。因为PMF提高了高能电子的数目，促进高能的活化分子的形成，并且高能活化分子数目增加的量与成正比，比例系数设为。（细致描述下） 经PMF活化示意图：（红色的是经电子活化的高能分子或离子） 未经PMF活化示意图： 为能够在基体上形核的高能分子的数目。之所以只采用高能分子，是因为形核是在硅片上生长金刚石的过程，金刚石的键能、键长等参数与硅的悬挂键之间结合要经历键连接的过程，需要外界做形核功，高能分子的增多有利于这一过程。 未加磁场时的形核率为 最终的形核率为 拟合公式为： z=1.47*(1+E.*3.5) 附： 电磁场测量值与旋转磁场频率的关系： 运用高斯计（型号需要写上）测得不同磁场频率下的