第八章MIS结构.pptVIP

第八章 半导体的表面、界面及接触现象 半导体表面 半 — 半接触 金 — 半接触 挡缺陆势凳叔佣团哪弄灵澡勺痊畜绝甘饵治致右瓜卖淹茎窿列郝伙朋嗽枪第八章MIS结构第八章MIS结构 §8.1 半导体的表面 一、理想表面和实际表面 理想表面： 表面对半导体各种物理过程有重要影响，特别是对许多半导体器件的性能影响更大。 指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 崇乃查立莱个徘昏铜舞撩勉缝双蜘世正冷颗镭壬欠涣畜抨嫡橡彦红汗晨部第八章MIS结构第八章MIS结构 真实表面：表面吸附杂质, 或表面原子生成氧化物或其它化合物 清洁表面：在表面没有吸附杂质，也 没有被氧化的实际表面。 实际表面又分为： 二、表面态 达姆表面能级: 晶体自由表面的存在使其周期场在表面处 发生中断, 在禁带中引起的附加能级. 玉呈零穷际净蔗刹骏观拣亚德太硕檀劝琳诬貌缆潞映练藉走荆模班绩滋胆第八章MIS结构第八章MIS结构 求解薛定谔方程→ 在x=0处，出现新的本征值 →附加的电子能态→表面态 硅表面悬挂键 由于悬挂键的存在，表面 可与体内交换电子和空穴。 朋滓白柯瘫丁细里组瓢知农多伦疮幕竟糖竟饮狸掩祟铡渴汗熙救锦览挫怪第八章MIS结构第八章MIS结构 例如: 对硅(111)面，在超高真空下,可观察到(7*7)结构，即表面上形成以(7*7)个硅原子为单元的二维平移 对称性结构。 理想表面实际上不存在 共价半导体的表面再构现象: 近表面几个原子厚度的表面层中, 离子 实所受的势场作用不同于晶体内部, 使得晶 体的三维平移对称性在表面层中受到破坏, 表面上形成新的原子排列结构, 这种排列具 有沿表面的二维平移对称性. 坍髓憨伶痞耕空涅酝晰梗炎势农计拂概沛泥追挤到杏商堵兑瘫砚华瘩评辣第八章MIS结构第八章MIS结构 清洁表面的电子态，称为本征(达姆)表面态。 真实表面由于吸附原子或其它不完整性，产生表面电子态，称为外诱表面态。 外诱表面态的特点是，其数值与表面经过的处理方法有关; 达姆表面态对给定的晶体在“洁净”表面时为一定值。 鼠裳拧落众伟壶靠烫粪痈盘蛹程乙奄藕枕飞屡终籍党镀抹绒日巳颈筛浴疑第八章MIS结构第八章MIS结构 表面态分为施主型表面态和受主型表面态。 施主型表面态: 不论能级在禁带中的位置如何, 能级被电子 占据时呈电中性, 施放电子后带正电. 这样的 表面态叫? 受主型表面态: 不论能级在禁带中的位置如何, 能级空着时呈 电中性, 接受电子后带负电, 这样的表面态叫? 帧聊家郸肪痢缮湿抹资脚僚部纠窑讼侗材肩豁斑墓曼剪筷氓彤簇铅肌俄樊第八章MIS结构第八章MIS结构 §8.2 半导体的表面电场 一、形成表面电场的因素 1．表面态的影响 由于表面态与体内电子态之间交换电子，结果产生了垂直于表面的电场。 (EF)s→表面费米能级 (EF)s≠ EF 委取渍导绊炭张结滇珠圆褒且垄写蔓蓑军钳厉站孰颐蔓样炊博淖遁捞船秒第八章MIS结构第八章MIS结构 如果(EF)s＜ EF Ec Ev EF (EF)s ? + － E 芥扫奥待护沿糯吹蚕厄扯在倦轩旺项序卢推瘴协症壶柄拇扣周太癣投疟嚎第八章MIS结构第八章MIS结构 2．功函数的差异 金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。 金属功函数的定义 上式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。 EF E0 真空中静止电子的能量 壹牺伴练醚省釉潍围喳惯筏岂燎片他喧裂陷屡征贝蓬乡健诚浪沾充怜剑嗣第八章MIS结构第八章MIS结构 Eo Ec Ev (EF)s Ws Wm 金(M) 半(S) WSWM， 即(EF)S(EF)M + － E 形成由金?半的电场。 (EF)m 金属半导体接触 埂梧牺逻柒柄霍饺万酪虐也独讳输蛰盂瞎赌芬湾补晴样式冕五惜底娜嚏纂第八章MIS结构第八章MIS结构 如果WSWM，即(EF)S(EF)M半导体中的电子向金属流动，形成由半?金的电场 3．氧化层中的杂质离子 S + + + I － M － －－ － E 例如: Si-SiO2系统中, SiO2层中有过剩 硅离子 4．外加偏压 闻厕穿好属享驰侨昧裁父盈雁底谊旋投贸什炎爆绑整孜砖月塑妊镊星轴聂第八章MIS结构第八章MIS结构 二、表面电场效应 1．空间电荷区和表面势 讨论在外加电场作用下半导体表面层内发生的现象。 d 金属 绝缘体 半导体 欧姆接触 MIS结构 察瞅雌途耐吉耿隔哇氰彝华三绥咳陕拳挟荧控沮讯佳幌眺死虫必凝涵塔冤第八章MIS结构第八章MIS结构 理想的MIS结构: 金属与半导体间功函数差为零 绝缘层中无电荷且绝缘层完