第5章：光刻讲解.ppt

不同时代的五种光刻机 1. 接触式光刻机－20世纪70年代，特征尺寸≥2μm 2. 接近式光刻机－20世纪70年代，特征尺寸≥2μm 3. 扫描投影式光刻机－20世纪80年代初，特征尺寸≥1μm 4. 分步重复式光刻机－20世纪80年代后，亚/深亚微米 5. 步进扫描式光刻机－近年来发展的，亚/深亚微米 接触式光刻机和接近式光刻机 接触式光刻机和接近式光刻机的特点 1. 版上图形与片上图形1：1 2. 人工对准 3. 版接触光刻胶损伤大光刻图形缺陷多，接近式好些 4. 特征尺寸≥2μm 5. 目前大尺寸功率器件的光刻还使用它。 扫描投影式光刻机 扫描投影式光刻机的特点 1. 版上图形与片上图形1：1 2. 人工对准 3. 版与光刻胶不接触节省版光刻图形缺陷少 4. 特征尺寸≥1μm 分步重复式光刻机 NSR2005 i9c 型 NIKON光刻机 分步重复式光刻系统 分步重复式光刻机的特点 1. 版上图形与片上图形5：1（即缩小倍率5：1） 掩膜版制造更容易更精确 2. 机器自动对准 3. 光刻精度高，特征尺寸：亚/深亚微米 4. 对硅片的平整度和几何形状变化的补偿较容易 5. 为提高硅片处理速度，镜头尺寸大、曝光 区域大，造成像差大，图像畸变 6. 如今国内外工艺线均使用分步重复式光刻机（日本NIKON公司、佳 能公司生产） 7. 造价高，一台0.25μm新的步进式光刻机 1000多万人民币 序号 性能参数 参数要求 1 分辨率 0.45μm 2 焦深 ≥0.7μm 3 套刻精度 ≤110nm 4 最大曝光面积 20 X 20 mm2 5 曝光光强 ≥600mw/cm2 NSR2005 i9c 型NIKON光刻机主要性能指标 NSR2005 i9c 型NIKON光刻机光刻特征尺寸SEM照片1 NSR2005 i9c 型NIKON光刻机光刻特征尺寸SEM照片2 步进扫描式光刻机 步进扫描式光刻机工作原理 步进扫描式光刻机的特点 1. 版上图形与片上图形4：1（即缩小倍率4：1） 掩膜版制造更容易和精确 2. 机器自动对准 3. 光刻精度高，特征尺寸：亚微米/深亚微米 4. 用较小的透镜尺寸获得较大的曝光场从而获得较大的芯片尺寸 5. 扫描过程调节聚焦，透镜缺陷、硅片平整度变化自动补偿 6. 原来由镜头成像质量保证的Y方向的线宽和套刻精度现在由机械扫描精度来实现 7. 造成像差小，图像畸变小 8. 制造成本低 步进扫描式光刻机的特点 环境条件对光刻的影响 1. 温度：掩膜版架、光学系统、承片台等 2. 湿度：胶粘附性、数值孔径、聚焦等 3. 振动：定位、对准、聚焦、曝光等 4. 大气压力：空气折射率、激光干涉计 5. 颗粒污染：图形缺陷 ITRS（2012） 5.5 先进光刻技术（选看） 离轴照明（OAI）：减小k因子 80年代开始就有使用 相移掩膜技术（PSM）：减小k因子 已在0.18μm及以下工艺关键层使用 光学临近修正（OPC）：减小k因子 已在0.13μm及以下工艺关键层使用 依靠EDA算法软件进行 两次图形曝光（DP）：减小k因子 开发中，小规模应用于32nm以下技术节点 Dual-tone光刻胶技术 曝光量很低和很高的光刻胶区域都不溶于显影液。 Dual-tone显影液技术：未量产 显影液去掉曝光量很低和很高的光刻胶区域。 自对准侧墙技术 被用于生产FinFET的Si Fin 理论上可不断重复生成无限小的特征尺寸 两次曝光 两次光刻+刻蚀 两次（光刻+刻蚀） 浸入式光刻（Immersion）：增大NA 光在大折射率的介质中波长更小 从45nm到32nm技术节点开始使用 纯水对193nmDUV的折射率1.44 EUV光刻：减小λ 13.5nm光源，将在现有技术都不可行时引入量产 本章小结 掩膜版 光刻的8个工艺步骤和作用 光刻胶的成分和作用 正胶和负胶 光刻胶的厚度 接触式曝光和投影式曝光 本章小结 曝光光源 数值孔径 分辨率和焦深 驻波效应、抗反射涂层 扫描光刻机和步进光刻机的特点 本章习题 书中第14章： 24、50 书中第15章：17 本章作业 1. 请写出光刻的8个基本步骤 2. 请列出软烘的至少2个作用 3. 已知接触孔版图图形为一些小方块，如果使用正胶，掩膜版应该是暗版还是亮版？ 4. 已知某台分步重复光刻机的紫外光源波长为248nm、光学系统的数值孔径为0.7、工艺因子为0.7，试计算该设备光刻的分辨率和焦深。 光通过掩膜版小孔图形衍射进行第一次傅里叶变换，再通过透