第一章与第二章讲解.ppt

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第一章与第二章讲解

* 2.6.1 复位方式和复位电路 图2-12 复位电路 * 程序执行方式是单片机的基本工作方式。 由于复位后PC=0000H,因此程序执行总是从地址0000H开始,但一般程序并不是真正从0000H开始,为此就得在0000H开始的单元中存放一条无条件转移指令,以便跳转到实际程序的入口去执行。 2.6.2 程序执行方式 * 单片机系统在运行过程中,如发生掉电故障,将会丢失RAM和寄存器中的程序和数据,其后果有时是很严重的。 掉电保护处理——先把有用信息转存,然后再启用备用电源维持供电。 系统中设置一个电压检测电路,一旦检测到电源电压下降,立即通过INT0/INT1产生外部中断请求,中断响应后执行中断服务程序,并将有用信息送内部RAM中保护起来。 2.6.3 掉电保护方式 * 8051掉电保护方式实际上就是低功耗方式。 CHMOS的80C5I却有两种低功耗方式, 即待机方式和掉电保护方式。 待机方式和掉电方式都是由专用寄存器PCON (电源控制寄存器) 来控制的。 2.6.4 80C51的低功耗方式 * 专用寄存器PCON格式: 2.6.4 80C51的低功耗方式 SMOD 波特率倍增位,在串行通信时才使用 GF1 通用标志位 GF0 通用标志位 PD 掉电方式位, PD=1,则进入掉电方式 IDL 待机方式位,IDL=1,则进入待机方式 位 序 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 位符号 SMOD / / / GF1 GF0 PD IDL * 1. 待机方式 待机方式——振荡器仍然运行。与CPU有关的如SP、PC、PSW、ACC以及全部通用寄存器也都被“冻结”在原状态。 中断方法退出待机方式。中断的同时,PCON被硬件自动清0,单片机就退出待机方式而进入正常工作方式。。 2.6.4 80C51的低功耗方式 * 2.掉电保护方式 PCON的PD位控制单片机进入掉电保护方式。此时单片机一切工作都停止,只有内部RAM单元的内容被保存。 80C51单片机除进入掉电保护方式的方法与8051不同之外,还有备用电源由VCC端引入的特点。VCC正常后,硬件复位信号维持10ms即能使单片机退出掉电方式。 2.6.4 80C51的低功耗方式 * 单步执行是借助单片机的外部中断功能来实现的。 1.建立单步执行的外部控制电路,以按键产生脉冲作为外部中断0的中断请求信号,经 INT0端输入。电路按一次键产生一个正脉冲。此外还需要在初始化程序中定义预INT0低电平有效。 2.6.5 80C51的单步执行 * JNB P3.2,$ ;=0则“原地踏步” JB P3.2,$ ;=1则“原地踏步” RETI ;返回 2.6.5 80C51的单步执行 2 .编写外部中断0的中断服务程序 * 2.4.1 程序存储器 表2-2内部ROM中的一些殊单元 * 2.4.2 数据存储器 1.编址与访问 MCS-51单片机片内、外数据存储器是两个独立的地址空间,应分别单独编址。片内数据存储器除RAM块外,还有特殊功能寄存器(SFR)块。 片外数据存储器一般是16位编址。片外RAM: 64K字节;地址从0000~FFFFH。 数据存储器的编址如图2-6所示。 * 2.4.2 数据存储器 图2-6 数据存储器编址 * 2.4.2 数据存储器 1.编址与访问 MCS-51单片机片内、外数据存储器是两个独立的地址空间,应分别单独编址。片内数据存储器除RAM块外,还有特殊功能寄存器(SFR)块。 片外数据存储器一般是16位编址。片外RAM: 64K字节;地址从0000~FFFFH。 数据存储器的编址如图2-6所示。 * 2.内部数据存储器 低128个字节, 字节地址为00H~7FH。 00H~1FH:32个单元,是4组通用工作寄存器区 20H~2FH:16个单元,可进行128位的位寻址 30H~7FH:用户RAM区,只能进行字节寻址,用作数据缓冲区以及堆栈区。 2.4.2 数据存储器 * 2.4.2 数据存储器 图 2-7 片内RAM地址空间 * 内部数据存储器高128单元:被特殊功能寄存器(SFR)使用。单元地址为80H~FFH。 CPU对各种功能部件的控制采用特殊功能寄存器集中控制方式,共21个。 2.4.3 专用寄存器 * 2.4.3 专用寄存器 表2-3 特殊寄存器 *

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