第七章半导体讲解.ppt

一、本征半导体 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡，即载流子浓度与温度有关。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好——温度对半导体器件的性能影响很大。 半导体中的价电子还会受到光照而激发形成自由电子并留下空穴。光强愈大，光子就愈多，产生的载流子亦愈多，半导体导电能力增强。故半导体器件对光照很敏感。 杂质原子对导电性能的影响将在下面介绍。 二. N型半导体和P型半导体 1. 本征半导体与掺杂半导体 2. N型半导体 当在硅或锗的晶体中掺入微量磷(或其它五价元素)时，磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是 9 ，比稳定结构多一个价电子。 掺入磷杂质的硅半导体晶体中，自由电子的数目大量增加。自由电子是这种半导体的导电方式，称之为电子半导体或N型半导体。 一、PN结的形成 二极管的分类 例 三. 特性曲线 晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是在IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见下图)。 通常将晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： (3) 饱和区 1. 电流放大系数 、 四. 主要参数 2. 集-基极反向截止电流 ICBO 4. 集电极最大允许电流 ICM 在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。 根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 最常用的是共发射极接法的输入特性曲线和输出特性曲线，实验测绘是得到特性曲线的方法之一。特性曲线的测量电路见右图。 ?A V mA V EC RB IB UCE UBE IC EB 用晶体管特性图示仪也可直接测量及显示晶体管的各个特性曲线。 输入特性曲线当UCE为常数时的IB与UBE之间的关系曲线。(参见右图) 0 0.4 20 0.8 40 60 80 UBE(V) IB(?A) UCE?1V 3DG6的输入特性曲线 对硅管来说，当 UCE ?1V时，集电结已处于反向偏置，发射结正向偏置所形成电流的绝大部分将形成集电极电流，但IB与UBE的关系依然与PN结的正向类似。(当UCE更小， IB才会明显增加) 硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压不超过0.2V。 放大状态时，硅NPN管UBE=0.6~0.7V；锗PNP管UBE = – 0.2~ –0.3V。 当IB一定时，UCE超过约1V以后就将形成IC，当UCE继续增加时， IC 的增加将不再明显。这是晶体管的恒流特性。 当IB增加时，相应的IC也增加，曲线上移，而且IC比IB 增加得更明显。这是晶体管的电流放大作用。 (1) 放大区 特性曲线进于水平的区域。在放大区 也称线性区。此时发射结正向偏置，集电结反向偏置。 (2) 截止区 IB=0曲线以下的区域。 IB=0时IC= ICEO。对于硅管当UBE 0.5V时即开始截止。为了可靠截止常使UBE?0。即截止时两个PN结都反向偏置。 当UCE UBE时，集电结处于正向偏置，晶体管工作于饱和状态。在饱和区， IB的变化对IC影响较小，失去放大作用。 即：饱和时，晶体管的发射结处于正偏、集电结也处于正偏。 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 各态偏置情况： 晶体管的特性不仅可用特性曲线表示，还可用一些数据进行说明，即晶体管参数。它是设计电路和选用器件的依据。 当晶体管接成共发射极时，静态(直流)时的IC与IB的比值称为共发射极静态(直流)放大系数： 当晶体管工作在动态时，电流增量ΔIC与ΔIB的比值称为动态(交流)放大系数： 说明： 1、静态电流放大系数和动态电流放大系数的意义不同，但大多数情况下近似相等，可以借用进行定量估算。 2、晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在曲线的等距平直部分才有较好的线性关系，IC与IB成正比，β也可认为是基本恒定的。 3、由于制造工艺的原因，晶体管的参数具有一定的离散性，即使是同一型号的晶体管，也不可能具有完全相同的参数。常用晶体管的β值在20~ 100之间。 近年来由于生产工艺的提高，β值在100~300之间的晶体管也具有很好的特性。 ICBO是当发射极开路时，C-B间PN结反向偏置的截止电流。它受温度影响很大，在室温下锗管的ICBO约为10?A数量级、硅管的ICBO在1?A以下数量级。 3. 集-射极反向截止电流 ICEO ICBO是当基极开路时，集电结反偏和发射结正偏时C-E间