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第一章 光谱响应率：光电探测器输出信号电压或电流与入射光功率之比，即单位入射光功率下探测器输出信号电压或电流称为响应率 量子效率：单色辐射下，产生的光生载流子数与辐射光子数之比 光谱匹配系数α：反映了期间响应的波长同光源光谱的吻合程度 最小可探测辐射功率：当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率 探测率D：对取倒数作为衡量探测器探测能力的参数 光电导惰性：光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。 第二章 光生伏特效应：两种半导体材料或金属/半导体相接触形成势垒，当外界光照射时，激发光生载流子，注入到势垒附近，形成光生电压的现象，属于内光电效应，利用光生伏特效应做成的光电探测器叫势垒型光电探测器 光电池：直接把光变成电的光电器件 光电池光照特性：光电池的光生电动势，即光电流与照度的关系。 光电池转换效率： PN型二极管：2DU是利用P型硅材料做衬底，在表面扩散P元素形成重掺杂N+型，P型与N+型层相接触形成PN结 二极管频率特性：由光生载流子的渡越时间和的乘积决定 长波长光电二极管优点：1工作电压低2探测灵敏度高3内量子效率高4响应速度快5可靠性高6能低噪声工作 RAPD（拉通型APD）工作原理：P+和N+为高参杂低阻区，I为本征区，PN结为倍增高场区，随电压增高，耗尽层从P区扩大至拉通整个I区，I区电场比PN+结区电压低，但也能保证载流子很高的漂移速度，入射光子在I区吸收后形成电子空穴对，一次电子向PN+区漂移，并在PN+区产生倍增 第三章 外光电效应：当光照射某种物质时，若入射的光子能量足够大时，它与物质的电子相互作用，致使电子逸出物质表面，即光电发射效应 半导体光电发射过程：1半导体中的电子吸收入射光子的能量而被激发到高能态上2被激电子在向表面运动的过程中受到散射而损失掉一部分能量3到达表面的电子克服表面电子亲和势EA而逸出 金属不是良好的光电发射体 平均自由程约为60?，逸出深度，Nc为散射次数 负电子亲和势光电阴极：EA=E真空-Ec 量子产额： 光电倍增管结构和原理：光入射窗，光电阴极，电子光学系统，倍增极，阳极 1光子透过光入射窗入射在光电阴极上2光电阴极上的电子受光子激发，离开表面发射到真空中3光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极上，倍增极将发射出比入射电子数目更多的二次电子，入射电子经N级倍增极倍增后，光电子就放大N次4经过倍增后的二次电子由阳极收集，形成阳极光电流 暗电流原因：1热发射2极间漏电3光反馈4离子反馈5场致发射6其他原因 光电阴极上散粒噪声： 分压电容作用：在光脉冲入射时，最后几级打拿极的瞬间电流很大，使最后几级分压电阻上的压降有明显的突变，导致阳极电流过早饱和，使光电倍增管灵敏度下降，通过电容来维持电阻上的压降保持不变 稳压电源接法：1正高压接法2负高压接法 第四章 为了使微弱的可见光或不可见的辐射图像通过光电成像系统变成可见图像，像管本身能起到光谱变换、增强亮度和成像作用。 像管三结构：光电阴极，电子光学系统和荧光屏。 像管中电子光学系统两个任务：1加速光电子，2使光电子成像在像面上。 电子透镜：能把电子流聚焦成像的电子光学系统 电子透镜分为静电透镜和磁透镜。 像管性能：高的量子效率和信息放大能力。 对比度： 像管的增益：亮度增益，辐射亮度增益，光通量增益 像管的背景指它的背景亮度。 暗背景：无照射时荧光屏的发光（来源于光电阴极的热发射电流，局部场强产生的场致发射，正电极上的二次电子发射） 信号感生背景：当像管受到辐照时还要引起一种与入射信号无关的附加背景亮度（主要来源于光反馈和离子反馈） 减少反馈措施：黑化电极、荧光屏上蒸铝以及合理地减少阳极孔径尺寸。 像管的传输特性（放大）：输出与输入尺寸之比（枕形畸变、桶形畸变） 空间频率：单位长度上的周期数或整个目标上的周期数 限制人眼分辨能力的因素：物体的亮度、视角、亮度对比度 传递函数：用分辨率评价器件成像的质量的种种缺点 调制传递函数：等于正弦图案的对比传递系数（即像函数的对比度与物函数的对比度之比） 微通道板的增益：U、α增大，G增大 电流平衡方程： 第五章 把整个图像分割成N个有一定大小的小像点，也称为像素 扫描（寻址）：把N个亮度信号转变为电信号的方法 行（场）同步：信号发送端为了使接收端的行扫描与场扫描规律与其同步，在行（场）扫描正程结束后，向接收机发出一个脉冲信号，表示这一行（场）已经结束，这个信号就是行（场）同步信号 场消隐：从一场最后一行的最右边回到下场第一行开始扫描位置而进行的不输出图像信号的回扫 行消隐：自左向右扫描一行且不产生图像信号 垂直分辨率：在整个画面上沿垂直方向所能分辨的像素或黑白相间的水平等宽矩形条纹数 水平分辨