材料科学基础 复习题.doc

绪论 一、填空题 1、材料科学主要研究的核心问题是 和 的关系。 材料的结构是理解和控制性能的中心环节，结构的最微细水平是 ，第二个水平是 ，第三个水平是 。第一材料的原子结构一、填空题 第章 材料的结构一、填空题 2、晶体与非晶体的最根本区别是 。、根据晶体的对称性，晶系有 大晶族， 大晶系， 种布拉菲Bravais点阵， 种点群， 种空间群。 、金属常见的晶格类型有 、 、 。 、fcc晶体的最密排方向为 ，最密排面为 ，最密排面的堆垛顺序为 …… 。 、fcc晶体的致密度为 ，配位数为 ，原子在（111）面上的原子配位数为 。 、bcc晶体的最密排方向为 ，最密排面为 ，致密度为 ，配位数为 。 、晶体的宏观对称要素有 、 、 。 、CsCl型结构属于，NaCl型结构属于，CaF2型结构属于MgO晶体具有 NaCl结构，其对称型是3 L4 4L36L29PC ，晶族是 晶系是 ，晶体的键型是 。 、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是[Si2O7]6-、[Si2O6]4-、[Si4O10]4-、[AlSi3O8]1-，它们的晶体结构类型分别为 组群状 ， 链状 ， 层状 ，和 架状 。 14、表征晶体中晶向和晶面的方法有 解析法 和 图示 法。 二、分析计算 1、Ni为面心立方结构，原子半径r=0.1243nm，求i的晶格常数和密度。; 2、Mo为体心立方结构，晶格常数a=0.3147nm，求o的原子半径r 。 sCl中铯与氯的离子半径分别为0.167nm0.181nm。 试问在sCl内离子在100或111方向是否相接触？每单位晶胞内有几个离子？各离子的配位数是多少？ ρ和致密度？ MgO具有aCl型结构。g2+的离子半径为0.07nm，2-的离子半径为0.1nm。试求gO的密度ρ致密度。， ， ，，，，，第章 晶体结构缺陷 一、填空题 点缺陷 、 线缺陷 、面缺陷 和体缺陷。 2、点缺陷主要包括 空位、 间隙原子、置换原子 ；线缺陷有 位错 ；面缺陷包括 晶界、相界、表面 等。 3、描述位错性质及特征的是 柏氏矢量b 。 4、位错的类型有 刃位错 、 螺位错 和 混合位错 。 5、位错线与柏氏矢量垂直的位错为 刃位错 ，位错线与柏氏矢量平行的位错称为 螺位错 。 6、位错的基本运动方式有 滑移 和 攀移 。 7、 刃位错 可以滑移和攀移， 螺位错 可以滑移而不攀移，能进行交滑移的位错必然是 螺位错 。 8、位错滑移一般沿着晶体的 密排（面）和 密排（方向）进行。 9、柏氏矢量实际上反应了位错线周围区域 晶格畸变 的大小和方向。 10、两平行同号螺位错间的作用力为 斥力 。 11、全位错是柏氏矢量等于点阵矢量的位错 ； 不全位错是柏氏矢量不等于点阵矢量的位错 。 12、面心立方晶体的不全位错类型主要有Shockley不全位错 和 Franker不全位错 ，柏氏矢量分别为b=a/6112 ， b=a/3 111 。只能发生攀移运动的位错是 Franker不全位错。 13、位错间转化（位错反应）要满足的条件有几何条件：柏氏矢量守恒 和能量条件：反应后位错的总能量降低 。 14、两个不全位错夹一片层错的位错称为 扩展 位错。 二、分析题 1、画一个方形位错环，（1）在此平面上画出柏氏矢量，使其平行于位错环的其中一边，任意选择并画出位错线方向，据此指出位错环各段的性质。（2）能否使该位错环处处为刃位错？（3）能否使该位错环处处为螺位错？试分析在fcc中，下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？ 第四章 一、填空题 /浓度）不随时间变化 ；非稳态扩散是指 单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数（扩散通量/浓度）随时间变化。 2、Fick扩散第二方程的高斯解适合求解总量为M的扩散元素沉积为一薄层扩散问题 ；Fick扩散第二方程的误差函数解适合求解 无限长棒（扩散偶）或半无限长棒的扩散问题。 3、扩散的微观机理有 空位扩散 、 间隙扩散、 位错扩散 、 表面扩散、晶界扩散 等。 4、空位扩散的阻力比间隙扩散 大 ，激活能 高。 5、在表面扩散、晶界扩散、体扩散、位错扩散方式中，扩散系数D最大的是 表面扩散 。 6、在间隙固溶体中，H、O、C等原子以 间隙扩撒机制 方式扩散。 7、Cu-Al合金和Cu组成的扩散偶发生柯肯达尔效应，标记向Cu-Al合金一