6核辐射探测器-(硕2)(张)讲解.ppt

主要性能 阳极脉冲上升时间和渡越时间 阳极脉冲上升时间：阳极输出脉冲前沿部分，从峰值的10%上升到峰值的90%所需时间。 渡越时间：光子到达光阴极的瞬间到阳极输出脉冲达到某一指定值之间的时间间隔。 能量分辨率和探测效率 能量分辨率取决于荧光光子数和倍增系数的统计涨落、光电转换效率的误差等。 对于α、β等带电粒子，探测器对它们有100%的计数效率。对于γ射线和中子，探测效率小于100%。 单晶闪烁谱仪 γ闪烁谱仪的组成与工作原理 闪烁体、PMT以及配套的电子学仪器组成。 X或γ射线不带电，它与闪烁体的相互作用是通过三种初级效应实现的，它产生的次级电子的能谱是相当复杂的，因而由次级电子产生的输出脉冲幅度谱也是相当复杂的 以NaI(Tl)闪烁晶体的单晶γ闪烁谱仪为例 单能射线的输出脉冲幅度谱 单能?射线在闪烁体内产生的次电子谱 ?射线与物质的相互作用 光电效应：光子消失，产生光电子 康普顿散射：散射光子，反冲电子 电子对效应：光子消失，产生正负电子对，正电子湮灭产生两个0.511MeV的湮灭光子。 闪烁体足够小的情况，尺寸小于1cm 可认为由入射?光子产生的次级Compton光子或电子对效应中产生的正电子湮没光子这些次级辐射离开闪烁体，不再与闪烁体发生相互作用 (hv1.022MeV) (hv1.022MeV) 闪烁体特别大的情况 次级光子带走的能量也最终转化为次级电子的能量，因此单能?光子入射后所产生的总的次级电子能量就等于入射?光子的能量 全能峰 这种多次作用累加沉积能量的过程称为累计效应 闪烁体中等大小的情况 初级效应中产生的光子部分逃出闪烁体 (hv1.022MeV) 单能?射线输出脉冲幅度谱 闪烁体的一次闪烁及周围介质对脉冲幅度谱的影响示意图 半导体探测器 半导体探测器(semiconductor detector) 20世纪60年代以后迅速发展起来的一种新型核辐射探测器，以半导体材料为探测介质。 半导体探测器的工作原理和气体电离室的十分相似，故又称固体电离室 半导体：常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类，锗和硅是最常用的元素半导体 半导体 半导体通过电子传导或空穴(electron hole)传导的方式传输电流。 电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度离子化（ionization）的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。 空穴导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。 半导体 材料中载子的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（三、五族元素）来控制。 如果我们在纯硅中掺杂少许的砷或磷（最外层有五个电子），就会多出一个自由电子，这样就形成N型半导体 如果我们在纯硅中掺入少许的硼（最外层有三个电子），就反而少了一个电子，而形成一个空穴，这样就形成P型半导体（少了一个带负电荷的电子，可视为多了一个正电荷）。 PN结(PN junction) P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 PN 结两侧的积累，形成电偶极层。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。 由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层。 半导体 工作原理 带电粒子进入半导体探测器灵敏区后与半导体相互作用，使半导体的原子电离而产生电子和空穴对（初电离）。灵敏区的电子和空穴在电场作用下分别向两电极漂移，从而在半导体探测器输出电路上形成电压脉冲。 半导体探测器类型 PN结型半导体探测器 将掺均匀杂质浓度的P型和N型半导体直接接触而组成的探测元件叫做PN结型半导体探测器 锂漂移型半导体探测器； 用P型硅或锗作基体，在基体的一面蒸镀一层金属锂，锂镀层为N区的半导体探测器 高纯锗半导体探测器 采用高纯度锗晶体作为探测元件的半导体探测器 PN结型半导体探测器 在P型半导体上掺杂，通过补偿效应，转化为N型半导体，形成P-N结。 由于密度的差异，电子和空穴朝着密度小的方向扩散。 扩散的结果形成空间电荷区，建立起自建电场。 在自建电场的作用下， 扩散与漂移达到平衡。形成P-N结区，也叫势垒区、耗尽区。 PN结型半导体探测器 少数能量较高的电子空穴会穿过势垒区扩散到对方区域，形成正向电流 If 由于热运动在势垒区产生电子空穴，在自建电场作用下形成反向电流 IG 扩散到势垒区的少数载流子在电场作用下也会形成反向电流 IS