6存储器和可编程逻辑器件m讲解.pptVIP

为区分存储矩阵的每个存储单元，首先要为这些存储单元进行编号，即分配给各存储单元不同的地址。地址译码器的作用就是用来接受CPU送来的地址信号并对它进行译码，选择与地址码相对应的存储单元，以便对该单元进行读／写操作。 I/O1 R/W CS I/O2 ······ I/On-1 存储器地址译码有两种方式，通常称为单译码与双译码。单译码方式又称字结构，适用于小容量存储器。双译码是将地址译码器分成两部分，X译码器输出行地址选择信号，Y译码器输出列地址选择信号，适用于大容量译码器。 A0 A1 An-1 片选信号用以实现芯片的选择。对于一个芯片来讲，只有当片选信号有效时，才能对其进行读／写操作。片选信号一般由地址译码器的输出及一些控制信号来形成，而读/写控制电路则用来控制对芯片的读/写操作。 各列位线经过读/写控制器与外部数据线相连。I/O电路位于系统数据总线与被选中的存储单元之间，用来控制信息的读出与写入，必要时，还可包含对I/O信号的驱动及放大处理功能。 A0 A1 An-1 I/O1 R/W CS I/O2 ······ I/On-1 读/写 控制端 片选 控制端 RAM(Random Access Memory)意指随机存取存储器，其工作特点是：在微机系统的工作过程中，可以随机地对其中的各个存储单元进行读/写操作。读写存储器分为静态RAM与动态RAM两种。 6.3.2 RAM的存储单元 存储单元是RAM的核心部分， RAM字中所含的位数是由具体的RAM器件决定的，可以是4位、8位、16位和32位等。RAM中每个字都是按地址存取的。一般的操作顺序是：先按地址选中要进行读或写操作的字，再对找到的字进行读或写操作。打一比方：存储器好比一座宿舍楼，地址对应着房间号，字对应着房间内住的人，位对应床位。 存储数据输出 T1 Q Q +UDD 1位线 (1) 静态RAM存储单元 0位线 行选择线 T2 T3 T4 T6 T5 图中T1和T2、T3和T4分别构成两个反相器。两个反相器交叉耦合又构成了基本触发器，作为储存信号的单元，当Q＝１时为“1”态，Q＝0时为“0”态。T5和T6是门控管，其导通和截止均受行选择线控制。 当行选择线为高电平时，T5T6导通，触发器输出端与位线接通 1 当行选择线为低电平时，T5T6截止，存储单元和位线断开。 导通 导通 0 截止 截止 保持原态不变 1 0 动态RAM存储单元 (2) 动态RAM存储单元 C 一个MOS管和一个电容即可组成一个最简单的动态存储单元电路。 由于C和数据线的分布电容C0相并，因此C要损失部分电荷。为保持原有信息不变，使放大后的数据同时回送到数据线上，对C应进行重写，称为刷新。对长时间无读/写操作的存储单元，C会缓慢放电，所以存储器必须定时对所有存储单元进行刷新，这是动态存储器的特点。 字选线 T C0 数据线 当存储单元未被选中时： 当存储单元被选中时： 0 截止 隔 离 写入时，送到数据线上的二进制信号经T存入C中；读出时，C的电平经数据线读出，读出的数据经放大后，再送到输出端。 1 导通 读/写操作 6.3.3 集成RAM简介 6116管脚排列图 集成RAM6116功能表 稳定 稳定 × A0～A10 写 输入 × 0 0 读 输出 0 1 0 低功耗维持 高阻态 × × 1 工作方式 D0～D7 OE WR CS CMOS RAM集成芯片6116的引脚A0～A10是地址码输入端，D0～D7是数据输出端，CS是选片端，OE是输出使能端，WE是写入控制端。 表中所示是集成RAM芯片6116的工作方式与控制信号之间的关系，读出和写入线是分开的，而且写入优先。 6.3.4 RAM的容量扩展 RAM的容量由地址码的位数n和字的位数m共同决定。因此常用的容量扩展法有位扩展、字扩展和字位扩展三种形式。 16片1024字×1位的RAM构成1024字×16位的RAM。 地址码 A0~A9 CS I /O 16 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 片1 片16 片2 I /O 2 I /O 1 如果一片RAM中的字数已经够用，而每个字的位数不够用时，可采用位扩展连接方式解决。其数据位的扩展方法是：将各个RAM的地址码并联片选端并联即可。 RAM的位扩展 RAM的字扩展 下图所示为RAM字扩展的典型实例：利用两片1024字×4位的RAM器件构成2048字×4位的RAM。 A0~A9 A10 片 1 片 2 I/O 1~4 CS 1 CS 利用地址码的最高位A10