CH14半导体器件讲解.ppt

《电工学》上册 电工技术 第1章 电路的基本概念与基本定律 第2章 电路的基本分析方法 第3章 电路的暂态分析 第4章 正弦交流电 第5章 三相电路 《电工学》下册 电子技术 第14章 半导体器件 第15章 基本放大电路 第16章 集成运算放大器 第17章 电子电路中的反馈 第18章 直流稳压电源 §14.3 半导体二极管 二极管的基本结构 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的应用举例 §14.4 稳压二极管 稳压二极管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管 稳压二极管的伏安特性曲线与普通二极管类似，差异是其反向特性曲线比较陡 稳压二极管工作在反向击穿区，击穿后电流虽然在很大范围变化，但稳压二极管两端电压变化很小（稳压） 稳压二极管与普通二极不一样，反向击穿是可逆的 稳压二极管的参数 稳压二极管的参数 稳压二极管的应用举例 两个PN结 14.5.2 电流分配和放大原理 晶体管放大原理 国家标准对半导体晶体管的命名如下: 3 D G 110 B 思考题(P34 习题5.10和6.1) § 14.6 光电器件 发光二极管 光电二极管 光电晶体管 § 14.6.1 发光二极管 发光二极管(Light Emiting Diode,LED)是用磷砷化镓、磷化镓等半导体材料制成，发光颜色有多种 发光二极管正常工作电压为1.5-2.5V，工作电流为几毫安到几十毫安 发光二极管有多种封装和 集成形式 § 14.6.2 光电二极管 原理：将光信号变换为电信号。 光电二极管是在反向电压下工作的：无光照时二极管载止，反向电流很小；有光照时电流随着光照强度变化。 工作电流一般只有几十微安 § 14.6.3 光电晶极管 光电晶体管的工作原理与三极管相似，但只有两个电极，第三个电极（基极）受光照作用的控制 第14章 结束 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE B E C IB IE IC NPN型晶体管 B E C IB IE IC PNP型晶体管 ICE与IBE之比称为电流放大倍数： IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 14.5.3 特性曲线 一、输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 例14.6： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： 例14.6： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管