模拟电子技术基础PPT 第1章 绪论和常用半导体器件.ppt

* 与晶体管类比，自学场效应管的主要参数。 例： ?=50， VCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当VBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当VBB =-2V时： IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC UBE VBB =2V时： USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?