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RF CMOS 雜訊參數之測試 RF CMOS noise Testkey IC 編號：M25-92E-01t 指導教授：高曜煌 交通大學電信研究所教授 電話：5172121-54541傳真：5710116 E-mail：yhkao@cc.nctu.edu.tw 設計者：紀 震 碩士班研究生 電話：5172121-54583傳真：5710116 E-mail：chean.cm91g@nctu.edu.tw 中文(及關鍵字) 為了在射頻電路設計中能有準確的射頻雜訊參數，在本計畫找出通道熱雜訊與閘級感應熱雜訊，且大略估計其參數值與。 Abstract In order to have an accurate RF noise parameter at RF circuit design, this plan will find the channel thermal noise and gate induced noise, and estimating their parameters androughly. KEY WORD : channel thermal noise, gate induced noise. 計劃緣由和目的 隨著CMOS製程技術不斷革新，元件的通道長度持續縮小，而雜訊的效應對於整個系統扮演著重要的角色。短通道的CMOS元件主要的雜訊為通道雜訊，而隨著頻率越高閘級感應熱雜訊也越重要。 研究方法3.1設計原理與方法 本計畫利用不同的尺寸大小CMOS電晶體之layout來決定不同的雜訊。通道熱雜訊與閘級感應熱雜訊分別為、，其中V-C，，。元件於NDL量測，結果用matlab來分析比較。 3.2 架構圖 本次計畫有十三種不同尺寸CMOS電晶體，長度為0.24um、0.34um、0.5um，寬度為5um、10um，fingers為8、16、32、64。 3.3模擬 圖1為比較NMOS不同的通道長度，元件尺寸分別為、、。圖2為比較NMOS元件不同finger數，通道長度皆為，元件總寬度分別為、，finger數分別為、與、。圖3為比較NMOS元件不同元件總寬度，通道長度皆為、單一寬度為，finger數分別為8、16、32與64。圖4為比較NMOS不同的通道長度，元件尺寸分別為、、。圖5為比較NMOS元件不同元件總寬度，通道長度皆為、單一寬度為，finger數分別為8、16、32與64。圖6為理論曲線與量測比較。其中比較NMOS不同的通道長度，元件尺寸分別為、、。圖7為相同條件下的閘級感應熱雜訊的理論曲線與量測比較。圖8為通道熱雜訊與閘級感應熱雜訊的量測比較。 3.4佈局 參考最後一頁,佈局平面圖 測試 量測環境為NDL，量測系統為為HP 85122A（高頻模組系統）與ATN NP5B（雜訊參數萃取軟體），量測頻率為1GHz到18GHz。量測偏壓為、。 測試電路未能正常work 部分有: 無 五.討論 由圖1、2、3可知，當通道長度縮小，變小，finger數越多越小，finger數（即總寬度）越多越小。由圖4、5可知，當通道長度縮小，變小， finger數（即總寬度）越多越小。由圖6、7可知，當通道長度縮小，變大，而變小。不隨頻率變動,但頻率越高，則越大。由以上理論模擬與量測結果，可萃取出通道熱雜訊係數與閘級熱雜訊係數，其曲線圖如圖9所示。在此，分別萃取出在、、，當通道長度為為、、時的與。同時分別比較Van der Ziel模型[1]，與分別為、。 六.參考文獻 [1] A. V. der Ziel, Noise in Solid State Devices and Circuits, John Wiley and Sons, 1986. [2] B. Razavi, RF Microelectronics. Prentice Hall, 1998. [3] D. K. Shaeffer, T. H. Lee, The Design and Implementation of Low-Power CMOS Radio Receivers. Kluwer Academic Publishers, 1999. 七. 圖表 圖3.1 NMOS不同的通道長度之比較 圖2 NMOS總寬度相同，不同的finger數之比較 圖3 NMOS單一寬度相同，不同的finger數（即總寬度）之比較 圖4 NMOS不同的通道長度之比較 圖5 NMOS單一寬度相同，不同的finger數（即總寬度）之比較 圖6 通道熱雜訊的理論曲線與量測比較 圖7 閘級感應熱雜訊的理論曲線與量測比較 圖8 通道熱雜訊與閘級感應熱雜訊的量測比較 圖9通道熱雜訊係