模拟电子技术第三章.ppt

2. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 在栅源间加负电压vGS ，令vDS =0 ①当vGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 2.漏源电压对沟道的控制作用 当vGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 转移特性曲线： iD=f(vGS)?vDS=const 3.N沟道耗尽型MOSFET 工作原理： 当vGS=0时，就有沟道，加入vDS，就有iD。 当vGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当vGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 P沟道耗尽型、增强型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4.场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT VT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 5.双极型和场效应型三极管的比较 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 较小 较大 噪声 电压输入 电流输入 输入量 电压控制电流源 电流控制电流源 控制 少子漂移 多子扩散少子漂移 载流子 单极型场效应管 双极型三极管 不宜大规模集成 几十到几千欧 制造工艺 输入电阻 适宜大规模和超大规模集成 几兆欧以上 3