光电子技术第二版答案详解.docxVIP

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  • 2017-02-16 发布于浙江
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光电子技术(第二版)答案详解第一章1. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。l0SRc第1.1题图解:因为,且所以LeAsAcl0sc第1.2题图2. 如图所示,设小面源的面积为As,辐射亮度为Le,面源法线与l0的夹角为s;被照面的面积为Ac,到面源As的距离为l0。若c为辐射在被照面Ac的入射角,试计算小面源在Ac上产生的辐射照度。解:亮度定义:强度定义:可得辐射通量:在给定方向上立体角为:则在小面源在Ac上辐射照度为:3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度Le均相同,试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐照度。答:由得,且则辐照度:4. 霓虹灯发的光是热辐射吗?不是热辐射。霓虹灯发的光是电致发光,在两端放置有电极的真空充入氖或氩等惰性气体,当两极间的电压增加到一定数值时,气体中的原子或离子受到被电场加速的电子的轰击,使原子中的电子受到激发。当它由激发状态回复到正常状态会发光,这一过程称为电致发光过程。6. 从黑体辐射曲线图可以看出,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长m随温度T的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导出。答:这一关系式称为维恩位移定律,其中常数为2.89810-3mK。普朗克热辐射公式求一阶导数,令其等于0,即可

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