半导体可靠性讲义
IC元件與製程之可靠度分析 一、可靠度分析 (Reliability Analysis) 二、影響元件之可靠度的主要因素 1. 熱載子效應 (Hot-Carrier Effect) 2.電子遷移效應 (Electromigration) 3. 氧化矽膜之可靠度量測 (Silicon-Oxide Film) 4. 元件縮小時之可靠度問題 (Device Scaling) 5. CMOS門閂閉鎖現象 (COMS Latch-up) 6. 封裝技術之可靠度 (Package Technology) 三、故障之機率分析函數 四、可靠度測試方法 五、加速測試因子與取樣數 可靠度分析 (Reliability Analysis) 可靠度分析: 藉著研究元件的物理機制,並利用數學統計之分析技巧,以進行元件評估改善之工作,期能完整地預測出元件之生命週期,再將其分析結果反應在製程上,求得製程參數的改進,如此更可確保元件衰退期的延緩,降低隱藏式之缺陷,而最終目的是提高產品的良率 。 影響元件之可靠度的主要因素: 1. 熱載子效應 2.電子遷移效應 3. 氧化矽膜之可靠度量測 4. 元件縮小時之可靠度問題 5. CMOS門閂閉鎖現象 6. 封裝技術之可靠度 熱載子效應 (Hot-Carrier Effects, HCE) 熱載子效應 係指元件通道電場產生的熱
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