半导体照明技术：第三、四章半导体发光材料晶体导论 半导体的激发与发光讲义.pptVIP

第三章 半导体发光材料晶体导论第四章 半导体的激发与发光 3.4 半导体发光材料的条件 半导体材料的带隙宽度必须大于所需发光波长的光子能量。可见光器件，Eg1.78eV 可获得电导率高的P型和N型晶体。掺杂浓度不应小于1×1017/cm3；高迁移率材料。 可获得完整性好的优质晶体。尽量减少杂质和晶格缺陷。要综合考虑生长方法和衬底的选择。 发光复合概率大。一般来说，直接带隙的半导体材料的发光复合概率较大。能带裁剪工程设计和创造新的发光材料。 4.2 注入载流子的复合 （1）辐射型复合 电子和空穴由于碰撞而复合（直接和间接） 通过杂质能级复合 通过相邻能级的复合 激子复合 （2）非辐射复合 伴随多数的声子的复合 俄歇复合 器件表面的复合 4.2.2 辐射型复合 4.2.2 辐射型复合 通过杂质能级的复合：导带上的电子被电离的杂质所捕获，然后再落到价带上，与空穴复合，并同时放出能量hv 相邻能级的复合：杂质能级间的电子和空穴的复合。如GaAs中硅杂质引起的红外发光 激子复合：除了固定在晶格上的电子和自由电子外，还存在处于它们中间能量的固定在格点上的电子，即处于激发态的电子，激子。激子形成的电子空穴对由于复合发光。 4.2.3 非辐射型复合 阶段地放出声子的复合：由于缺陷和深能级杂质，电子的能量会阶段性的释放，以产生声子。 俄歇复