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- 2017-02-16 发布于湖北
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1)静态随机存储器 SRAM 的位存储单元 存储机理:利用双稳态触发器保存数据(0或1)。 存 1:T1导通、T2截止 存 0:T1截止、T2导通 字线 Z:连地址线 位线W:连数据线 分析: (1)保持数据:不送地址信号(Z=0,T5T6截止) (2)读出:送地址(Z=1, T5T6导通),发读命令 (3)写入:送地址(Z=1, T5T6导通),送数据(W=0/1),发写命令 2)动态随机存储器 DRAM 的位存储单元 存储机理:利用MOS电路中栅板电容保存数据。 存 1:电容有电荷 存 0:电容无电荷 字线Z:连地址线 位线W:连数据线 分析: (1)保持信息:不送地址信号(Z=0,T截止) (2)读出:送地址(Z=1 ,T导通),发读命令 (3)写入:送地址(Z=1 ,T导通),送数据(W=0/1),发写命令 系 统 总 线 存储器 运算器 控制器 接口与通信 输入/输出设备 林楠 办公室:211 办公电话:0371 电子邮件:linna
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