光刻技术的进展要点.pptVIP

基于光刻技术的微细加工技术进展 光学光刻 193nm光刻技术 极紫外（EUV）光刻技术 1984年，日本电信株式会社（NTT开始尝试性开展研究软X射线缩小投光刻技术研究，并且在1986年里有镀有多层膜的施瓦兹席尔德（Schwarzschild）光学系统及12.5nm软X射线光源光刻出2μm线宽的图形，其缩小倍率为1：8。 1989年，IBM、AT＆T、Ultratech Stepper和Tropel表示出了对SXPL极大的兴趣，于是举行了一次SXPL学术论坛。同年NTT在同一系统上光刻出0.5μm线宽的图形； 1990年，美国贝尔实验室利用14nm的光源光刻出50nm线宽图形，其缩小倍率为1：20。 1992年，NTT公司研制成功带有扫描机构的、曝光现场为20mm×20mm的样机。 1993年此项技术正是更名为极紫外光刻技术（EUVL）。 1998年底，欧洲共同体的EUVL研究计划也正是开始启动，该研究项目由ASML公司牵头，Carl Zeiss公司和Oxford Instruments公司参与，其目的是评估EUVL在70nm光刻分辨率及70nm以下光刻分辨率的可行性。 2015，ASML在今年第四季度批量出货20nm、16nm、14nm工艺的相关制造设备。推出NXE:3300B光刻机，准备10nm节点上应用极紫外光